BLS6G2731S-120,112 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BLS6G2731S-120,112 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-502B, Current Rating (Amps): 33A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz, Power - Output: 120W, Gain: 13.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Voltage - Rated: 60 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote BLS6G2731S-120,112
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BLS6G2731S-120,112 | Hersteller : NXP |
 Description: NXP - BLS6G2731S-120,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| BLS6G2731S-120,112 | Hersteller : Ampleon |
Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin SOT-502B Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BLS6G2731S-120,112 | Hersteller : Ampleon USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B Packaging: Tray Package / Case: SOT-502B Current Rating (Amps): 33A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz Power - Output: 120W Gain: 13.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: SOT502B Voltage - Rated: 60 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 100 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |