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BLS6G2731S-130,112 NXP USA Inc.

BLS6G2731S-130.pdf Hersteller: NXP USA Inc.
Description: FET RF 60V 3.1GHZ SOT922-1
Packaging: Tube
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Technische Details BLS6G2731S-130,112 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 32V CDFM2, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-922-1, Current Rating (Amps): 33A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz, Power - Output: 130W, Gain: 12dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: CDFM2, Part Status: Active, Voltage - Rated: 60 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 100 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BLS6G2731S-130,112 Hersteller : NXP PHGLS22082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - BLS6G2731S-130,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BLS6G2731S-130,112 BLS6G2731S-130,112 Hersteller : Ampleon 88bls6g2731s-130.pdf Trans RF FET N-CH 60V 33A 3-Pin CDFM Bulk
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BLS6G2731S-130,112 BLS6G2731S-130,112 Hersteller : Ampleon USA Inc. BLS6G2731S-130.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 32V CDFM2
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-922-1
Current Rating (Amps): 33A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz
Power - Output: 130W
Gain: 12dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: CDFM2
Part Status: Active
Voltage - Rated: 60 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 100 mA
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