BPW16N Vishay Semiconductors


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Hersteller: Vishay Semiconductors
Phototransistors T-.75 450 to 1040nm +/-40 deg
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Technische Details BPW16N Vishay Semiconductors

Description: PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1040 NM, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Part Status: Active, Current - Dark (Id) (Max): 200 nA, Viewing Angle: 80°, Operating Temperature: -40°C ~ 100°C, Orientation: Top View, Mounting Type: Through Hole, Wavelength: 825nm, Package / Case: Radial, 1.8mm (T-3/4), Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BPW16N BPW16N Vishay Semiconductor Opto Division bpw16n.pdf Description: PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1040 NM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Current - Dark (Id) (Max): 200 nA
Viewing Angle: 80°
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Orientation: Top View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 825nm
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Hersteller: Vishay Semiconductor Opto Division
Description: PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1040 NM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Current - Dark (Id) (Max): 200 nA
Viewing Angle: 80°
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Orientation: Top View
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 825nm
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