auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 24+ | 6.41 EUR |
| 120+ | 4.73 EUR |
| 240+ | 4.10 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BPX65 ams-OSRAM
Description: AMS OSRAM GROUP - BPX 65 - Fotodiode, 40° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 1nA Dunkelstrom, 850nm, TO-18-2, tariffCode: 85414900, Bauform - Diode: TO-18, Winkel halber Empfindlichkeit ±: 40°, Dunkelstrom: 1000pA, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BPX65 nach Preis ab 4.10 EUR bis 10.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BPX65 | Hersteller : ams-OSRAM |
 Photodiode PIN Chip 850nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin TO-18 |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Hersteller : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; TO18; THT; 850nm; 350÷1100nm; 40°; 1nA; 250mW Case: TO18 Wavelength: 350...1100nm Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Turn-on time: 12ns Turn-off time: 12ns LED lens: transparent Viewing angle: 40° Type of photoelement: PIN IR photodiode Dark current: 1nA Wavelength of peak sensitivity: 850nm Active area: 1mm2 Radiant power: 250mW Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BPX 65 | Hersteller : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; TO18; THT; 850nm; 350÷1100nm; 40°; 1nA; 250mW Case: TO18 Wavelength: 350...1100nm Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Turn-on time: 12ns Turn-off time: 12ns LED lens: transparent Viewing angle: 40° Type of photoelement: PIN IR photodiode Dark current: 1nA Wavelength of peak sensitivity: 850nm Active area: 1mm2 Radiant power: 250mW |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Hersteller : ams OSRAM |
Photodiodes Silicon PIN Photodiode |
auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Hersteller : ams-OSRAM USA INC. |
Description: SENSOR PHOTODIODE 850NM TO18-2 Packaging: Tray Package / Case: TO-18-2 Metal Can Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Diode Type: Pin Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Response Time: 12ns Viewing Angle: 80° Spectral Range: 350nm ~ 1100nm Active Area: 1mm² Current - Dark (Typ): 1nA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Hersteller : AMS OSRAM GROUP |
Description: AMS OSRAM GROUP - BPX 65 - Fotodiode, 40° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 1nA Dunkelstrom, 850nm, TO-18-2 tariffCode: 85414900 Bauform - Diode: TO-18 Winkel halber Empfindlichkeit ±: 40° Dunkelstrom: 1000pA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
BPX 65 | Hersteller : OSRAM Opto Semiconductors |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin TO-18 |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| BPX-65 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
BPX65 | Hersteller : ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 850nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin TO-18 |
Produkt ist nicht verfügbar |