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BQ4010MA-200

BQ4010MA-200 Texas Instruments

BMRKD00007-6-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BQ4010%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf
Hersteller: Texas Instruments
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module
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Technische Details BQ4010MA-200 Texas Instruments

Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 64Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm), Packaging: Tube, Memory Organization: 8K x 8, Access Time: 200 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 200ns, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72), Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BQ4010MA-200 BQ4010MA-200 Texas Instruments BMRKD00007-6-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BQ4010%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module
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BQ4010MA-200 BQ4010MA-200 Benchmarq BMRKD00007-6-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 8K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
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BQ4010MA-200 BQ4010MA-200 Texas Instruments BQ4010%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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BQ4010MA-200 Benchmarq Microelectronics BMRKD00007-6-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BQ4010%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf BQ4010MA-200
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BQ4010MA-200 TI BMRKD00007-6-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BQ4010%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf 08+;
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Hersteller: Texas Instruments
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module
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NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module
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BQ4010MA-200
Hersteller: Benchmarq
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 8K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
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BQ4010MA-200 BQ4010%28Y%2CLY%29_Rev_Apr_2014.pdf
BQ4010MA-200
Hersteller: Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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15+36.63 EUR
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Hersteller: Benchmarq Microelectronics
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25+34.78 EUR
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08+;
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