BQ4011YMA-200 Texas Instruments
Hersteller: Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Memory Format: NVSRAM
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Technische Details BQ4011YMA-200 Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 256Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm), Packaging: Tube, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 32K x 8, Access Time: 200 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 200ns, Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72), Memory Format: NVSRAM.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BQ4011YMA-200 | TI |
08+; |
auf Bestellung 25400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BQ4011YMA-200 |
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Hersteller: TI
08+;
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