Technische Details BS107G ON
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote BS107G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BS107G | On Semiconductor |
  N-кан. MOSFET 200V, 0.25A, 0.35Вт, 14Ом, TO-92, Pbf Транзистори |
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| BS107G | ON Semiconductor |
N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.25A, Idm=0.5A, Rds... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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BS107G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk |
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BS107G | onsemi |
MOSFETs 200V 250mA N-Channel |
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| BS107G | |
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Hersteller: On Semiconductor
N-кан. MOSFET 200V, 0.25A, 0.35Вт, 14Ом, TO-92, Pbf Транзистори
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| BS107G | |
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Hersteller: ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=200V, Id=0.25A, Idm=0.5A, Rds... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
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| BS107G | |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
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| BS107G | |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V 250mA N-Channel
MOSFETs 200V 250mA N-Channel
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