BS107PSTZ DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: Ammo Pack
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 62+ | 1.16 EUR |
| 121+ | 0.59 EUR |
| 137+ | 0.52 EUR |
| 154+ | 0.47 EUR |
| 163+ | 0.44 EUR |
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Technische Details BS107PSTZ DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - BS107PSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BS107PSTZ nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BS107PSTZ | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Kind of package: Ammo Pack Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A On-state resistance: 23Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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,TO-226_straightlead.jpg "BS107PSTZ") |
BS107PSTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS107PSTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Chnl 200V |
auf Bestellung 3074 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BS107PSTZ | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS107PSTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS107PSTZ | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BS107PSTZ | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BS107PSTZ | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |