BS170 FS
Produktcode: 26014
Hersteller: FSGehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar 25 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.29 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Analogon BS170 FS
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
BS170-D26Z Produktcode: 143717 |
Hersteller : ON |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 60 V Idd,A: 0,5 A Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ JHGF: THT |
auf Bestellung 1111 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote BS170 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.99 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS170 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 7609 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92 |
auf Bestellung 87463 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 47388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
BS170 | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BS170 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BS170 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BS170 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.5A |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BS170 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |