BS170-D26Z ON
Produktcode: 143717
Hersteller: ONUds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1073 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Analogon BS170-D26Z ON
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS170 Produktcode: 26014 |
Hersteller : FS |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 Idd,A: 01.05.2000 Rds(on), Ohm: 05.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 60/- JHGF: THT |
verfügbar: 25 Stück
|
|
Weitere Produktangebote BS170-D26Z nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS170-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5Ω Drain current: 0.5A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 0.83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO92 Pulsed drain current: 1.2A Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5Ω Drain current: 0.5A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 0.83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO92 Pulsed drain current: 1.2A |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 138646 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 2758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 2758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 28301 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
auf Bestellung 53596 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 3786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170_D26Z(reel), BS170_D27Z(reel), BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo), BS170RL1G(T/R) BS170 (forming) TBS170F Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170_D26Z(reel), BS170_D27Z(reel), BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo), BS170RL1G(T/R) BS170 (forming) TBS170F Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 138646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BS170-D26Z | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
2N7000 Produktcode: 182880 |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 38588 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Макетная плата 8cm x12cm односторонняя, зеленая Produktcode: 144392 |
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 80x120мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 1247 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 80x120мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 1247 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
auf Bestellung 275 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück:
500 Stück - erwartet 15.06.2024500 Stück - erwartet 30.07.2024
Макетная плата 2x8 двухсторонняя, зеленая Produktcode: 144385 |
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 1419 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet 15.06.2024Макетная плата 3x7 двухсторонняя, зеленая Produktcode: 144386 |
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 30x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 240 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 30x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 240 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 579 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 2000 Stück:
1000 Stück - erwartet 15.06.20241000 Stück - erwartet 30.07.2024