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BS170-D26Z

BS170-D26Z ON

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Produktcode: 143717
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
auf Bestellung 538 St.:
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Analogon BS170-D26Z ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BS170 (Fairchild) Transistor BS170 (Fairchild) Transistor
Produktcode: 26014
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FS BS170-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
    1+0.35 EUR
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    BS170 (Fairchild) Transistor
    Produktcode: 26014
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    BS170 (Fairchild) Transistor
    Hersteller: FS
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-92
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
    Drain-Strom Idd, A: 0,5 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
    Montage: THT
    verfügbar: 25 St.
      AnzahlPrivatkunde
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
      auf Bestellung 12000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      2000+0.18 EUR
      4000+0.15 EUR
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
      auf Bestellung 12000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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      BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
      Supplier Device Package: TO-92-3
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
      auf Bestellung 24000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      2000+0.24 EUR
      4000+0.21 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
      auf Bestellung 16000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      2000+0.27 EUR
      4000+0.24 EUR
      6000+0.23 EUR
      8000+0.21 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      BS170-D26Z BS170-D26Z Fairchild Semiconductor mmbf170-d.pdf Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
      Supplier Device Package: TO-92-3
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
      auf Bestellung 100646 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      2036+0.27 EUR
      Mindestbestellmenge: 2036 Stücke
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
      Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
      auf Bestellung 1720 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
      Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
      auf Bestellung 2000 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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      308+0.57 EUR
      511+0.35 EUR
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      1000+0.19 EUR
      3000+0.17 EUR
      6000+0.14 EUR
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 0.5A
      Pulsed drain current: 1.2A
      Power dissipation: 0.83W
      Case: TO92
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 5Ω
      Mounting: THT
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      Technology: DMOS
      auf Bestellung 1494 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      125+0.68 EUR
      178+0.48 EUR
      216+0.39 EUR
      249+0.35 EUR
      290+0.3 EUR
      500+0.21 EUR
      1000+0.19 EUR
      Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
      auf Bestellung 7000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      197+0.89 EUR
      294+0.58 EUR
      308+0.54 EUR
      511+0.31 EUR
      516+0.3 EUR
      610+0.24 EUR
      1000+0.15 EUR
      3000+0.14 EUR
      6000+0.13 EUR
      Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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      BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
      auf Bestellung 20682 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      4+1.06 EUR
      10+0.65 EUR
      100+0.42 EUR
      500+0.31 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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      BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
      Supplier Device Package: TO-92-3
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
      auf Bestellung 24363 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      20+1.07 EUR
      33+0.65 EUR
      100+0.42 EUR
      500+0.31 EUR
      1000+0.27 EUR
      Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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      BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 500mA
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
      Verlustleistung: 830mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-92
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
      auf Bestellung 2012 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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      BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
      BS170-D26Z
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
      auf Bestellung 12000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2000+0.18 EUR
      4000+0.15 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
      BS170-D26Z
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
      auf Bestellung 12000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2000+0.18 EUR
      4000+0.15 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
      BS170-D26Z
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
      Supplier Device Package: TO-92-3
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
      auf Bestellung 24000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2000+0.24 EUR
      4000+0.21 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
      BS170-D26Z
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
      auf Bestellung 16000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2000+0.27 EUR
      4000+0.24 EUR
      6000+0.23 EUR
      8000+0.21 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
      BS170-D26Z
      Hersteller: Fairchild Semiconductor
      Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
      Supplier Device Package: TO-92-3
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
      auf Bestellung 100646 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2036+0.27 EUR
      Mindestbestellmenge: 2036 Stücke
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      BS170-D26Z info-tbs170.pdf
      BS170-D26Z
      Hersteller: ON-Semiconductor
      Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
      Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
      auf Bestellung 1720 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      100+0.42 EUR
      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      BS170-D26Z info-tbs170.pdf
      BS170-D26Z
      Hersteller: ON-Semiconductor
      Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
      Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
      auf Bestellung 2000 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      100+0.42 EUR
      Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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      BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
      BS170-D26Z
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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      AnzahlPrivatkunde
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      516+0.33 EUR
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      6000+0.14 EUR
      Mindestbestellmenge: 308 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
      BS170-D26Z
      Hersteller: ONSEMI
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 60V
      Drain current: 0.5A
      Pulsed drain current: 1.2A
      Power dissipation: 0.83W
      Case: TO92
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 5Ω
      Mounting: THT
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      Technology: DMOS
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      Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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      BS170-D26Z
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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      BS170-D26Z
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
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      BS170-D26Z
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
      Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
      Supplier Device Package: TO-92-3
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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      BS170-D26Z
      Hersteller: ONSEMI
      Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412100
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 60V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 500mA
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
      Verlustleistung: 830mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-92
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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      2N7000
      Produktcode: 20638
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      		2N7000-D.PDF
      2N7000
      Hersteller: NXP
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-92
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
      Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
      Montage: THT
      verfügbar: 1737 St.
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      2N7000
      Produktcode: 200238
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      		2N7000-datasheetjcet.pdf
      2N7000
      Hersteller: CJ
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-92
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
      Drain-Strom Idd, A: 0,2 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
      Montage: THT
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      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF3205PBF
      Produktcode: 25094
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      		description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
      IRF3205PBF
      Hersteller: IR/Infineon
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
      Drain-Strom Idd, A: 110 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
      Montage: THT
      auf Bestellung 1283 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      erwartet 50 St.:
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      10+1.73 EUR
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      S5M
      Produktcode: 45776
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      		s5a-datasheet.pdf
      S5M
      Hersteller: Vishay
      Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
      Gehäuse: DO-214AB
      Urev., V: 1000 V
      Iausr., A: 5 A
      Beschreibung: Gleichrichter
      Montage: SMD
      auf Bestellung 180 St.:
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      Relais G2RL-2 12VDC (G2RL212DC)
      Produktcode: 58631
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      		en-g2rl-datasheet.pdf
      Relais G2RL-2 12VDC (G2RL212DC)
      Hersteller: Omron
      Relais
      Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
      Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 12V; I-Schalt: 8A
      Abmessungen: 29x12,7x15,7 мм
      Spulenspannung: 12 VDC
      Strom max.: 8 А
      Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
      Schaltspannung: 250 VAC; 30 VDC
      Produkt ist nicht verfügbar
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