Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > BS170-D26Z ON
BS170-D26Z

BS170-D26Z ON

MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
Produktcode: 143717
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: ON
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 792 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Analogon BS170-D26Z ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BS170 BS170
Produktcode: 26014
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Hersteller : FS BS170-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 25 St.
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
100+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Weitere Produktangebote BS170-D26Z nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.2 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.22 EUR
4000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
8000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : Fairchild Semiconductor mmbf170-d.pdf Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 100646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2036+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2036
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
218+0.33 EUR
262+0.27 EUR
300+0.24 EUR
341+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 12493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.88 EUR
33+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : onsemi MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 23370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.89 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.2 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Hersteller : ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z Hersteller : ON Semiconductor BS170-D.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 500, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 10, Rds = 5 Ом @ 200 мA, 10 В, Ugs(th) = 3V @ 1000 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170D26Z BS170D26Z Hersteller : ONS/FAI Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 0.5A, 0.83W, TO92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

2N7000
Produktcode: 20638
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 1995 St.
50 St. - stock Köln
1945 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 200238
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1812 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
15 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1617 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S5M (Diode)
Produktcode: 45776
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
s5a-datasheet.pdf
S5M (Diode)
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-214AB
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 5 А
Монтаж: SMD
auf Bestellung 205 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G2RL-2 12VDC
Produktcode: 58631
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
en-g2rl-datasheet.pdf
G2RL-2 12VDC
Hersteller: Omron
Relais
Relaistyp: Реле середньої потужності (5-20А)
Beschreibung: Тип контактів: 2C; Uкотушки: 12В; Iкомутації: 8А
Abmessungen: 29x12,7x15,7 mm
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max: 8 A
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 250 VAC; 30 VDC
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
1000 St. - erwartet 05.06.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH