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BS170-D26Z

BS170-D26Z ON

MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
Produktcode: 143717
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
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  • 295 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Analogon BS170-D26Z ON

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BS170 (Fairchild) Transistor BS170 (Fairchild) Transistor
Produktcode: 26014
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FS BS170-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
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BS170 (Fairchild) Transistor
Produktcode: 26014
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BS170 (Fairchild) Transistor
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
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2000+0.18 EUR
4000+0.15 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
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2000+0.24 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z Fairchild Semiconductor mmbf170-d.pdf Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 100646 Stücke:
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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6000+0.29 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
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100+0.4 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
382+0.45 EUR
511+0.33 EUR
516+0.32 EUR
610+0.26 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.58 EUR
242+0.36 EUR
278+0.31 EUR
315+0.27 EUR
350+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.88 EUR
294+0.57 EUR
382+0.42 EUR
511+0.3 EUR
516+0.29 EUR
610+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 16862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 19491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.68 EUR
50+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
345+0.68 EUR
404+0.54 EUR
547+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.18 EUR
4000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.24 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 100646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1940+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1940 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
8000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z info-tbs170.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z info-tbs170.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
382+0.45 EUR
511+0.33 EUR
516+0.32 EUR
610+0.26 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
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BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+0.58 EUR
242+0.36 EUR
278+0.31 EUR
315+0.27 EUR
350+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
197+0.88 EUR
294+0.57 EUR
382+0.42 EUR
511+0.3 EUR
516+0.29 EUR
610+0.23 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 16862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.09 EUR
10+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 19491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.09 EUR
32+0.68 EUR
50+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BS170-D26Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 1381 Stücke:
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204+1.23 EUR
345+0.68 EUR
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1000+0.38 EUR
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2N7000
Produktcode: 20638
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2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
  • 50 St. - stock Köln
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2N7000
Produktcode: 200238
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2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 993 St.
  • 993 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.098 EUR
100+0.086 EUR
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3819 St.
  • 3819 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
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1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 664 St.
  • 664 St. - stock Köln
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
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100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1472 St.
  • 1472 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.9 EUR
10+1.71 EUR
100+1.55 EUR
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