Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > 2N7000 CJ
2N7000

2N7000 CJ

2N7000-datasheetjcet.pdf
Produktcode: 200238
Hersteller: CJ
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 105 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7000 2N7000
Produktcode: 20638
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Hersteller : NXP 2N7000-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 332 Stück
50 Stück - stock Köln
282 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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2N7000 2N7000
Produktcode: 20638
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Hersteller : NXP 2N7000-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 332 Stück
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 89844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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320+0.46 EUR
731+0.20 EUR
751+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 320
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 81202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
243+0.61 EUR
361+0.40 EUR
826+0.17 EUR
849+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 243
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2335 Stücke:
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2N7000 2N7000
Produktcode: 182880
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Hersteller : ST datasheet_2N7000.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 13439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2009+0.07 EUR
2213+0.06 EUR
4000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2009
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.07 EUR
8000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 80010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.07 EUR
8000+0.06 EUR
12000+0.05 EUR
20000+0.05 EUR
40000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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4000+0.07 EUR
8000+0.05 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5E7B772AB10BE28&compId=2N7000-LGE-DTE.pdf?ci_sign=6dca99270af36192b057cac8d612f3073128d359 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
895+0.08 EUR
1355+0.05 EUR
1505+0.05 EUR
1555+0.05 EUR
1620+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 895
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2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5E7B772AB10BE28&compId=2N7000-LGE-DTE.pdf?ci_sign=6dca99270af36192b057cac8d612f3073128d359 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
895+0.08 EUR
1355+0.05 EUR
1505+0.05 EUR
1555+0.05 EUR
1620+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 895
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.08 EUR
8000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 132226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2573+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2573
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2573+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2573
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 6750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
621+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 621
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B7EC8716854C20C4&compId=2n7000.pdf?ci_sign=7e454f76ea9c1d6c74e6c527bf46a5062211976b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 13419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
695+0.10 EUR
926+0.08 EUR
1608+0.04 EUR
1701+0.04 EUR
4000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B7EC8716854C20C4&compId=2n7000.pdf?ci_sign=7e454f76ea9c1d6c74e6c527bf46a5062211976b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13419 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
695+0.10 EUR
926+0.08 EUR
1608+0.04 EUR
1701+0.04 EUR
4000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
485+0.30 EUR
771+0.19 EUR
1278+0.11 EUR
1632+0.08 EUR
2198+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 13821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
83+0.21 EUR
138+0.13 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.08 EUR
2000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 49691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.35 EUR
13+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.08 EUR
4000+0.07 EUR
8000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 81202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
361+0.41 EUR
826+0.17 EUR
849+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 361
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 5401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
170+0.42 EUR
216+0.33 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
170+0.42 EUR
216+0.33 EUR
400+0.18 EUR
424+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 89844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
215+0.69 EUR
319+0.45 EUR
728+0.19 EUR
748+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 47922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
34+0.53 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
2000+0.21 EUR
5000+0.19 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi / Fairchild NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs FET 60V 50 OHM TO92
auf Bestellung 99807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.82 EUR
10+0.56 EUR
100+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
5000+0.20 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7000 Hersteller : LGE NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
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2N7000 Hersteller : LGE NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
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2N7000 Hersteller : DIOTEC NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
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2N7000 Hersteller : DIOTEC NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
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2N7000 Hersteller : Fairchild Semiconductor NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
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2N7000 Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
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2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics 2N7000%2C%202N7002.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf EDU-2N7000 SMD N channel transistors
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2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics CD00005134-491325.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A
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2N7000 2N7000 Hersteller : Microchip Technology supertex_2n7000-1181251.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diodes Incorporated NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs
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2N7000 2N7000 Hersteller : Vishay / Siliconix NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs 60V 0.2A 0.4W
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2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics 128cd00005134.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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1 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-1KR-Hitano)
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mfr_series-hitano-datasheet.pdf
1 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-1KR-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
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TL431ACLP
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description tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches TL431%2CA%2CB%2CNCV431A.pdf
TL431ACLP
Hersteller: TI
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-226AA
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
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BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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mmbf170-d.pdf MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1763 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Produktcode: 169934
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mfr_series-hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 48274 Stück:
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