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2N7000

2N7000 CJ

2N7000-datasheetjcet.pdf
Produktcode: 200238
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Hersteller: CJ
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
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2N7000 2N7000
Produktcode: 20638
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NXP 2N7000-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
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2N7000
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2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
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2N7000 2N7000 ZEHUA T2N7000_ZEH_ZEHUA_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 LGE T2N7000_LGE_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
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2N7000 2N7000 DIOTEC T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7000 2N7000 LGE T2N7000_LGE_0001.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
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2N7000 2N7000 DIOTEC T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 onsemi 2n7000.pdf MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
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500+0.36 EUR
10000+0.33 EUR
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2N7000 2N7000 ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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349+0.67 EUR
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519+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.4W
Technology: DMOS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.35W
auf Bestellung 5440 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4400006.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3818 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 Fairchild/ON Semiconductor 2N7000_Fairchaild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
auf Bestellung 47935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.11 EUR
12000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N7000 T2N7000_ZEH_ZEHUA_0001.pdf
2N7000
Hersteller: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.13 EUR
8000+0.12 EUR
12000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_LGE_0001.pdf
2N7000
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
300+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
300+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_LGE_0001.pdf
2N7000
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1678 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
300+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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2N7000 T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
300+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 127376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2324+0.29 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
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2N7000
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.4W
Technology: DMOS
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2N7000
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.35W
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3818 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000 2N7000_Fairchaild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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BS170-D26Z
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
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100+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
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2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4035
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P2N2222A.pdf
2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
verfügbar: 4 St.
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16+0.079 EUR
24+0.051 EUR
100+0.039 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 664 St.
  • 664 St. - stock Köln
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
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  • 18796 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.75 EUR
100+0.044 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH