Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > 2N7000 CJ

2N7000 CJ

Name: 2N7000
Brand: NXP
SKU: 20638
Price: 0.25 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 200238

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Hersteller: CJ
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT

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2N7000
Produktcode: 20638

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Hersteller : NXP

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT

verfügbar: 1995 St.

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2N7000

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 20000 Stücke:

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4000+	0.05 EUR
8000+	0.046 EUR

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2N7000

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

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1415+	0.1 EUR

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2N7000

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo

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1249+	0.11 EUR
1413+	0.097 EUR
2000+	0.084 EUR
4000+	0.072 EUR

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2N7000

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

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2442+	0.22 EUR
10000+	0.19 EUR
100000+	0.15 EUR

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2N7000

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

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2442+	0.22 EUR
10000+	0.19 EUR

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2N7000

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 26500 Stücke:

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527+	0.27 EUR
1000+	0.23 EUR
2500+	0.22 EUR
5000+	0.2 EUR
10000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 527

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2N7000

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 23779 Stücke:

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457+	0.31 EUR
1208+	0.11 EUR

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2N7000

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 92459 Stücke:

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364+	0.39 EUR
535+	0.26 EUR
1415+	0.094 EUR

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2N7000

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo

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343+	0.42 EUR
576+	0.24 EUR

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2N7000

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

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313+	0.46 EUR
460+	0.3 EUR
1217+	0.11 EUR

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2N7000

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

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307+	0.47 EUR

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2N7000

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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2N7000

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2N7000
Produktcode: 182880

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Hersteller : ST

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT

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2N7000

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 64000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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4000+	0.087 EUR
8000+	0.078 EUR
12000+	0.074 EUR
20000+	0.069 EUR
28000+	0.066 EUR
40000+	0.063 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

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2N7000

Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk

auf Bestellung 1730 Stücke:

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810+	0.089 EUR
1210+	0.059 EUR
1345+	0.053 EUR
1525+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 810

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2N7000

Hersteller : ZEHUA

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
500+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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2N7000

Hersteller : LGE

N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 4080 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
300+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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2N7000

Hersteller : LGE

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
300+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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2N7000

Hersteller : DIOTEC

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
300+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 300

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2N7000

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack

auf Bestellung 6315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
334+	0.21 EUR
404+	0.18 EUR
455+	0.16 EUR
748+	0.096 EUR
1017+	0.07 EUR
1150+	0.062 EUR
2000+	0.055 EUR
4000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 334

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2N7000

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 10349 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
40+	0.44 EUR
66+	0.27 EUR
106+	0.17 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR
2000+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 40

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2N7000

Hersteller : ONSEMI

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk

auf Bestellung 1380 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
132+	0.54 EUR
162+	0.44 EUR
187+	0.38 EUR
233+	0.31 EUR
319+	0.22 EUR
365+	0.2 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 132

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2N7000

Hersteller : Diotec Semiconductor

MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N

auf Bestellung 18090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	0.64 EUR
10+	0.43 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.25 EUR
4000+	0.14 EUR
8000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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2N7000

Hersteller : onsemi

MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92

auf Bestellung 67430 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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3+	0.98 EUR
10+	0.61 EUR
100+	0.39 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.24 EUR
5000+	0.21 EUR
10000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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2N7000

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 35950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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2N7000

Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor

N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

verfügbar 10 Stücke:

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2N7000

Hersteller : On Semiconductor

N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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2N7000

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo

Produkt ist nicht verfügbar

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2N7000

Hersteller : JSCJ

N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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2N7000

Hersteller : Vishay / Siliconix

MOSFETs 60V 0.2A 0.4W

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2N7000

Hersteller : STMicroelectronics

MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A

Produkt ist nicht verfügbar

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2N7000

Hersteller : Microchip Technology

MOSFETs 60V 5Ohm

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2N7000

Hersteller : ONS/FAI

N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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2N7000

Hersteller : Diodes Incorporated

MOSFETs

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2N7000

Hersteller : LGE

N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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2N7000

Hersteller : NXP

N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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2N7000

Hersteller : Vishay

N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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2N7000

Hersteller : STM

N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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2N7000

Hersteller : Diotec

N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4035

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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,8
h21: 300
ZCODE: THT

verfügbar: 6597 St.

4 St. - stock Köln
6593 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

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BS170-D26Z
Produktcode: 143717

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Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT

auf Bestellung 792 St.:

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1N4148
Produktcode: 176824

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Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns

auf Bestellung 27654 St.:

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1N4007
Produktcode: 176822

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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V

auf Bestellung 80952 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106

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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm

verfügbar: 4655 St.

1164 St. - stock Köln
3491 St. - lieferbar in 3-4 Wochen

erwartet: 40000 St.

40000 St. - erwartet 10.08.2026

Anzahl	Preis
10+	0.01 EUR
100+	0.0056 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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