2N7000 CJ
Produktcode: 200238
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Lieblingsprodukt
Hersteller: CJ
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.098 EUR |
| 100+ | 0.086 EUR |
Produktrezensionen
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Möglichen Substitutionen 2N7000 CJ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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2N7000 Produktcode: 20638
2
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Lieblingsprodukt
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NXP |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-92 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 0,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/- Montage: THT |
verfügbar: 50 St.
auf Bestellung: 1618 St.
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| 2N7000 Produktcode: 20638
2
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
- 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1618 St.
- 1618 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
Weitere Produktangebote 2N7000 nach Preis ab 0.073 EUR bis 2.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 6756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 11825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 127976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 27168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 23750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 91406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 81711 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 91406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 81736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 3381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 10 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| 2N7000 |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2APackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 fAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTECAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 53205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ZEHUA |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEHAnzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGEAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack |
auf Bestellung 6236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
auf Bestellung 9848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | onsemi |
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92 |
auf Bestellung 108617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7000 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.12 EUR |
| 8000+ | 0.1 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1095+ | 0.15 EUR |
| 1192+ | 0.14 EUR |
| 2000+ | 0.13 EUR |
| 4000+ | 0.11 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 11825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.2 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 127976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2442+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.24 EUR |
| 100000+ | 0.19 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2442+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.24 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 23750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 527+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 2500+ | 0.27 EUR |
| 5000+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.25 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 304+ | 0.57 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 304+ | 0.57 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 91406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 295+ | 0.6 EUR |
| 735+ | 0.24 EUR |
| 742+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 2000+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.19 EUR |
| 10000+ | 0.18 EUR |
| 50000+ | 0.17 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 81711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 0.61 EUR |
| 720+ | 0.24 EUR |
| 728+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 2000+ | 0.2 EUR |
| 10000+ | 0.18 EUR |
| 50000+ | 0.17 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 91406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.87 EUR |
| 295+ | 0.57 EUR |
| 735+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| 2000+ | 0.18 EUR |
| 5000+ | 0.17 EUR |
| 10000+ | 0.15 EUR |
| 50000+ | 0.14 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 81736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 197+ | 0.88 EUR |
| 289+ | 0.58 EUR |
| 721+ | 0.23 EUR |
| 729+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| 2000+ | 0.18 EUR |
| 5000+ | 0.17 EUR |
| 10000+ | 0.15 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 267+ | 0.94 EUR |
| 391+ | 0.6 EUR |
| 468+ | 0.46 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.11 EUR |
| 8000+ | 0.096 EUR |
| 12000+ | 0.09 EUR |
| 20000+ | 0.084 EUR |
| 28000+ | 0.081 EUR |
| 40000+ | 0.077 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.12 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.14 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 6881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 0.52 EUR |
| 64+ | 0.33 EUR |
| 102+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 2000+ | 0.12 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 53205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 163+ | 1.54 EUR |
| 265+ | 0.88 EUR |
| 414+ | 0.52 EUR |
| 544+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.3 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.12 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.13 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 6236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 295+ | 0.29 EUR |
| 374+ | 0.23 EUR |
| 432+ | 0.2 EUR |
| 736+ | 0.12 EUR |
| 876+ | 0.098 EUR |
| 1000+ | 0.089 EUR |
| 2000+ | 0.081 EUR |
| 4000+ | 0.073 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 339+ | 0.51 EUR |
| 568+ | 0.3 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 9848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.54 EUR |
| 10+ | 0.39 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 4000+ | 0.17 EUR |
| 8000+ | 0.11 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 0.73 EUR |
| 140+ | 0.61 EUR |
| 159+ | 0.54 EUR |
| 266+ | 0.32 EUR |
| 309+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
| 2N7000 |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
auf Bestellung 108617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| 1N4148 Produktcode: 176824
13
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 18518 St.
- 18518 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.024 EUR |
| 100+ | 0.015 EUR |
| 1000+ | 0.011 EUR |
| BS170-D26Z Produktcode: 143717
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
auf Bestellung: 470 St.
- 470 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 2N2222 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 4035
6
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
verfügbar: 4 St.
- 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5456 St.
- 5456 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.051 EUR |
| 100+ | 0.039 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822
19
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 53619 St.
- 53619 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.039 EUR |
| 10+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| 1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 11106
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 1164 St.
- 1164 St. - stock Köln
erwartet: 40000 St.
- 40000 St. - erwartet 10.08.2026
auf Bestellung: 2905 St.
- 2905 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.027 EUR |
| 100+ | 0.021 EUR |
| 1000+ | 0.015 EUR |













