2N7000 CJ
Produktcode: 200238
Hersteller: CJGehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1289 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Möglichen Substitutionen 2N7000 CJ
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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2N7000 Produktcode: 20638 |
Hersteller : NXP |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 Idd,A: 01.03.2000 Rds(on), Ohm: 5 Ciss, pF/Qg, nC: 60/- JHGF: THT |
verfügbar: 50 Stück
erwartet:
2000 Stück
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Weitere Produktangebote 2N7000 nach Preis ab 0.041 EUR bis 1.38 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2N7000 Produktcode: 20638 |
Hersteller : NXP |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 Idd,A: 01.03.2000 Rds(on), Ohm: 5 Ciss, pF/Qg, nC: 60/- JHGF: THT |
verfügbar: 50 Stück
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2000 Stück
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2N7000 | Hersteller : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 36780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 5410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5410 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 36690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 36690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
auf Bestellung 8049 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET Small Signal MOSFET 60V 200mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92 |
auf Bestellung 33935 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LGE |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 6870 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : DIOTEC |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 |
auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : NTE Electronics, Inc. | N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor |
auf Bestellung 4300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LGE | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.2A 0.4W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : Microchip Technology | MOSFET 60V 5Ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : Diodes Incorporated | MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 Produktcode: 182880 |
Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 JHGF: THT |
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1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 38588 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano) Produktcode: 11065 |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 7099 Stück
erwartet:
10000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.01 EUR |
100+ | 0.0056 EUR |
1nF 50V Y5P K(+/-10%) D<=5mm (HB1H102K-L515B) Produktcode: 6360 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische scheibenförmig und axial
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 50V
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5mm
Part Nummer: HB1H102K-L515B
№ 8: 8532220000
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische scheibenförmig und axial
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 50V
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5mm
Part Nummer: HB1H102K-L515B
№ 8: 8532220000
auf Bestellung 6707 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.022 EUR |
100+ | 0.0084 EUR |
1000+ | 0.0043 EUR |
IRFZ24NPBF Produktcode: 4381 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 1073 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.4 EUR |
10+ | 0.35 EUR |
100+ | 0.28 EUR |
1N5408 Produktcode: 2135 |
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 11345 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.069 EUR |
10+ | 0.049 EUR |
100+ | 0.044 EUR |
1000+ | 0.042 EUR |