
2N7000 CJ

Produktcode: 200238
Hersteller: CJGehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 105 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Möglichen Substitutionen 2N7000 CJ
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7000 Produktcode: 20638
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : NXP |
![]() Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 Idd,A: 01.03.2000 Rds(on), Ohm: 5 Ciss, pF/Qg, nC: 60/- JHGF: THT |
verfügbar: 332 Stück
50 Stück - stock Köln
282 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
Weitere Produktangebote 2N7000 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.82 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7000 Produktcode: 20638
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : NXP |
![]() Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 Idd,A: 01.03.2000 Rds(on), Ohm: 5 Ciss, pF/Qg, nC: 60/- JHGF: THT |
verfügbar: 332 Stück
50 Stück - stock Köln
282 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 89844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 81202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 Produktcode: 182880
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : ST |
![]() Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 13439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 80010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk |
auf Bestellung 2988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 132226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 27168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 6750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack |
auf Bestellung 13419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13419 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 13821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
auf Bestellung 49691 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 81202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk |
auf Bestellung 5401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5401 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 89844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 47922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() ![]() |
auf Bestellung 99807 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 4534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 38165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
2N7000 | Hersteller : LGE |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Hersteller : LGE |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Hersteller : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Hersteller : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
2N7000 | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||
2N7000 |
![]() ![]() ![]() |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
2N7000 |
![]() ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
1 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-1KR-Hitano) Produktcode: 150096
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
10000 Stück
10000 Stück - erwartet 26.09.2025
TL431ACLP Produktcode: 26293
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-226AA
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-226AA
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
auf Bestellung 2184 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.25 EUR |
10+ | 0.14 EUR |
100+ | 0.10 EUR |
BS170-D26Z Produktcode: 143717
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() ![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1763 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano) Produktcode: 169934
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
30000 Stück
10000 Stück - erwartet
20000 Stück - erwartet
20000 Stück - erwartet
1N4007 Produktcode: 176822
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 48274 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH