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2N7000

2N7000 NXP

2N7000-D.PDF
Produktcode: 20638
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar 1314 Stück:
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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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Hersteller : CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 853 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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Hersteller : CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4000+0.064 EUR
8000+0.045 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4000+0.068 EUR
8000+0.051 EUR
12000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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4000+0.078 EUR
8000+0.054 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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1728+0.084 EUR
2000+0.073 EUR
4000+0.062 EUR
8000+0.057 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5E7B772AB10BE28&compId=2N7000-LGE-DTE.pdf?ci_sign=6dca99270af36192b057cac8d612f3073128d359 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
810+0.089 EUR
1210+0.059 EUR
1345+0.053 EUR
1525+0.047 EUR
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 810
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2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5E7B772AB10BE28&compId=2N7000-LGE-DTE.pdf?ci_sign=6dca99270af36192b057cac8d612f3073128d359 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
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Anzahl Preis
810+0.089 EUR
1210+0.059 EUR
1345+0.053 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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1502+0.096 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B7EC8716854C20C4&compId=2n7000.pdf?ci_sign=7e454f76ea9c1d6c74e6c527bf46a5062211976b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 9380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
521+0.14 EUR
589+0.12 EUR
947+0.076 EUR
1286+0.056 EUR
1437+0.05 EUR
2000+0.045 EUR
4000+0.041 EUR
8000+0.04 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B7EC8716854C20C4&compId=2n7000.pdf?ci_sign=7e454f76ea9c1d6c74e6c527bf46a5062211976b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
521+0.14 EUR
589+0.12 EUR
947+0.076 EUR
1286+0.056 EUR
1437+0.05 EUR
2000+0.045 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 132226 Stücke:
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Anzahl Preis
2565+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2565
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2565+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
603+0.24 EUR
890+0.16 EUR
1431+0.094 EUR
1684+0.077 EUR
2332+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 603
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 31750 Stücke:
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590+0.25 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.18 EUR
30000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 590
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 37317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.32 EUR
14+0.21 EUR
100+0.12 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.079 EUR
4000+0.067 EUR
8000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 41652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
299+0.48 EUR
1243+0.11 EUR
1270+0.1 EUR
2500+0.097 EUR
5000+0.092 EUR
10000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 299
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
397+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 397
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 96133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
286+0.51 EUR
421+0.33 EUR
1502+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
163+0.44 EUR
188+0.38 EUR
239+0.3 EUR
343+0.21 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
163+0.44 EUR
188+0.38 EUR
239+0.3 EUR
343+0.21 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 41655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
201+0.72 EUR
298+0.47 EUR
1240+0.11 EUR
1252+0.1 EUR
1265+0.098 EUR
2500+0.093 EUR
5000+0.088 EUR
10000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 201
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2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi / Fairchild 11AE8EC16F86BFEDE62C7BE5080B34EEB7A1DA175A13D6E34F1DA85EB15A8A89.pdf MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm
auf Bestellung 64213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.76 EUR
10+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 54250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
34+0.52 EUR
100+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
50000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 7376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.53 EUR
19+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3303 Stücke:
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2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2N7000 Hersteller : ZEHUA NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
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2N7000 Hersteller : LGE NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
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2N7000 Hersteller : LGE NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
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2N7000 Hersteller : DIOTEC NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
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2N7000 2N7000
Produktcode: 182880
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Hersteller : ST datasheet_2N7000.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
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2N7000 Hersteller : DIOTEC NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
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2N7000 Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
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2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics 2N7000%2C%202N7002.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
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2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics 128cd00005134.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A
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2N7000 2N7000 Hersteller : Microchip Technology supertex_2n7000.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
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2N7000 2N7000 Hersteller : Vishay / Siliconix NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs 60V 0.2A 0.4W
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diodes Incorporated 2N7000.pdf MOSFETs
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
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erwartet: 40000 Stück
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1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4119
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1 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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2N2222A (TO-92) (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26080
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PN2222A.pdf
2N2222A (TO-92) (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,8
h21: 300
ZCODE: THT
verfügbar: 572 Stück
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1uF 50V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R9BB105 – Yageo)
Produktcode: 114770
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yageo-datasheet-cap.pdf
1uF 50V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R9BB105 – Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
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L78L09ACZ
Produktcode: 863
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78L00 series.pdf
L78L09ACZ
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-92
Uin, V: 30
Uout,V: 9
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
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