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2N7000

2N7000 NXP

2N7000-D.PDF
Produktcode: 20638
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar 2040 St.:
50 St. - stock Köln
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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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Hersteller : CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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Hersteller : CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4000+0.082 EUR
8000+0.074 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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810+0.089 EUR
935+0.076 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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1413+0.1 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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1243+0.12 EUR
1407+0.099 EUR
2000+0.085 EUR
4000+0.074 EUR
8000+0.064 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 14052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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334+0.21 EUR
404+0.18 EUR
455+0.16 EUR
748+0.096 EUR
1017+0.07 EUR
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2000+0.055 EUR
4000+0.05 EUR
8000+0.045 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2565+0.21 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2565+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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408+0.35 EUR
2500+0.24 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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410+0.35 EUR
1286+0.11 EUR
1299+0.1 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 1985 Stücke:
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44+0.4 EUR
69+0.26 EUR
111+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
360+0.4 EUR
578+0.24 EUR
926+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 360
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 94154 Stücke:
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286+0.51 EUR
421+0.33 EUR
1318+0.1 EUR
1332+0.097 EUR
1399+0.089 EUR
2000+0.084 EUR
5000+0.08 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 24042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.52 EUR
408+0.34 EUR
1279+0.1 EUR
1357+0.091 EUR
2000+0.087 EUR
5000+0.082 EUR
10000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
162+0.44 EUR
187+0.38 EUR
233+0.31 EUR
319+0.22 EUR
365+0.2 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 19774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.64 EUR
10+0.43 EUR
100+0.36 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
4000+0.14 EUR
8000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi 2n7000.pdf MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
auf Bestellung 30943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 37190 Stücke:
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 4400006.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000 Hersteller : ZEHUA 2n7000.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7000 Hersteller : LGE 2n7000.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 Hersteller : LGE 2n7000.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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2N7000 2N7000
Produktcode: 182880
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Hersteller : ST datasheet_2N7000.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 Hersteller : DIOTEC 2n7000.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 Hersteller : DIOTEC 2n7000.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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2N7000 Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor 2n7000.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics 2n7000.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7000 2N7000 Hersteller : Vishay / Siliconix 2n7000.pdf MOSFETs 60V 0.2A 0.4W
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diodes Incorporated 2N7000.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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2N7000 2N7000 Hersteller : Microchip Technology 2n7000.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
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BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 965 St.:
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 14264 St.
1164 St. - stock Köln
13100 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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2N2222A (TO-92) (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26080
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PN2222A.pdf
2N2222A (TO-92) (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 75
Ic,A: 0,8
h21: 300
ZCODE: THT
verfügbar: 171 St.
120 St. - stock Köln
51 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.036 EUR
100+0.032 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J177
Produktcode: 32362
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J17x,MMBFJ17x.pdf
J177
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 30
Id,A: 0.05
/: THT
verfügbar: 183 St.
15 St. - stock Köln
168 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 93513 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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