2N7000

2N7000

Produktcode: 20638
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-

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Technische Details 2N7000

Preis 2N7000 ab 0.046 EUR bis 1.82 EUR

2N7000
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Material: 2N7000-LGE THT N channel transistors
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW Trans. 2N7000-LGE TO92 LGE T2N7000 LGE
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2N7000
Hersteller: DIOTEC
(polish version) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO; T2N7000 DIOTEC
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2N7000
Hersteller: DIOTEC
(polish version) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO; T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2N7000
Hersteller: DC

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2N7000
Hersteller: ON
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) Trans. 2N7000 TO92(bulk) FAIRCHILD T2N7000
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7000
Hersteller: ONSEMI
Material: 2N7000-FAI THT N channel transistors
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2N7000
Hersteller: ONS-FAIR

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4000+ 0.24 EUR
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N- ; Udss, = 60; Id = 200 ; Ptot, = 0,4; . = ; Ciss, @ Uds, = 50 @ 25; Rds = 5 @ 500 A, 10 ; T, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 ; TO-92-3
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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10+ 1.19 EUR
100+ 1.04 EUR
2N7000
Hersteller:
2N7000 MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
128cd00005134.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 5
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 400
Continuous Drain Current Id: 200
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 2.1
Drain Source Voltage Vds: 60
Transistor Case Style: TO-92
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
2299562.pdf
5016 Stücke
2N7000
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
2n7000.pdf
3900 Stücke
2N7000
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
nds7002a-d.pdf
1116 Stücke
2N7000
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
2n7000.pdf
388000 Stücke
2N7000
2N7000
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - 2N7000 - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
On Resistance Rds(on): 5
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 400
Continuous Drain Current Id: 200
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 2.1
Drain Source Voltage Vds: 60
Transistor Case Style: TO-92
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
1788502.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
2n7000.pdf
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2N7000
Hersteller:
2N7000 MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
Hersteller:
2N7000 MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
Hersteller:
2N7000 MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
Hersteller:
2N7000 MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
Hersteller:
2N7000 MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
Hersteller: DIOTEC
N-CH 60V 0,2A 5000mOhm TO-92
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2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N7000-DIO THT N channel transistors
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2N7000
Hersteller:
2N7000 MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET FET 60V 5.0 OHM TO92
NDS7002A_D-2317584.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A
CD00005134-491325.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET FET 60V 5.0 OHM TO92
NDS7002A_D-2317584.pdf
auf Bestellung 129700 Stücke
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 0.2A 0.4W
70226-1765504.pdf
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET 60V 5Ohm
supertex_2n7000-1181251.pdf
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2N7000
Hersteller: STMicroelectronics NV
N-. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35, TO-92
2N7000,%202N7002.pdf ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N7000.pdf 2n7000.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Vgs (Max): ±18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: STMicroelectronics
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Base Part Number: 2N70
Supplier Device Package: TO-92-3
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
2N7000,%202N7002.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Base Part Number: 2N70
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package: TO-92-3
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Packaging: Bulk
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V
Vgs (Max): ±18V
ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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2N7000
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package: TO-92
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Strip
Manufacturer: DComponents
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
2n7000.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Supplier Device Package: TO-92
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Manufacturer: NTE Electronics, Inc
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bag
2N7000.pdf
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2N7000
2N7000
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Base Part Number: 2N7000
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-92-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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2N7000
2N7000
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92-3
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Base Part Number: 2N7000
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: onsemi
ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Produktcode: 7711
техническая информация 1n4148-datasheet.pdf
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
2802 Stück - stock Köln
16404 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.3 EUR
10+ 0.25 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.0062 EUR
Möglichen Substitutionen
1N4448
Produktcode: 20338
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574
техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3155 Stück - stock Köln
41019 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: 27631
Widerstande THT - Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: Hitano
Präzision: 1 kOhm
P Nenn.,W: ±5%
U Betriebs.,V: 0,25W
Typ: 250V
Abmessungen: Ausfuhr. (S)
Bemerkung: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
1184 Stück - stock Köln
15768 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10+ 0.01 EUR
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Möglichen Substitutionen
1 kOhm 5% 0,25W Ausfuhr.
Produktcode: 13760
2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4035
P2N2222A.pdf
2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,8
h21: 300
345 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.04 EUR
10+ 0.03 EUR