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2N7000

2N7000 NXP

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Produktcode: 20638
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1798 St.:
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2N7000
Produktcode: 200238
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2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 20000 Stücke:
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.087 EUR
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28000+0.066 EUR
40000+0.063 EUR
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2N7000 2N7000 ZEHUA T2N7000_ZEH_ZEHUA_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
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500+0.098 EUR
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2N7000 2N7000 LGE T2N7000_LGE_0001.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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300+0.11 EUR
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2N7000 2N7000 LGE T2N7000_LGE_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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2N7000 2N7000 DIOTEC T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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300+0.12 EUR
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 14702 Stücke:
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1029+0.14 EUR
1123+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
4000+0.094 EUR
8000+0.08 EUR
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2442+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
100000+0.16 EUR
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2442+0.22 EUR
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2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 14702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
374+0.19 EUR
432+0.17 EUR
736+0.097 EUR
876+0.082 EUR
1000+0.075 EUR
2000+0.068 EUR
4000+0.061 EUR
8000+0.055 EUR
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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1346+0.11 EUR
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
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4000+0.38 EUR
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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367+0.39 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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356+0.41 EUR
524+0.27 EUR
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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338+0.43 EUR
566+0.25 EUR
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 15441 Stücke:
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7+0.45 EUR
10+0.33 EUR
100+0.27 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
4000+0.14 EUR
8000+0.092 EUR
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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305+0.47 EUR
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2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1335 Stücke:
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117+0.61 EUR
140+0.51 EUR
159+0.45 EUR
266+0.27 EUR
309+0.23 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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2N7000 2N7000 LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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2N7000 2N7000 onsemi 2n7000.pdf NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
auf Bestellung 112065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.98 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
auf Bestellung 44666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
30+0.6 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
5000+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
auf Bestellung 3187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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19+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4400006.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 3721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 35235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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2N7000 Fairchild/ON Semiconductor 2N7000_Fairchaild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
4000+0.051 EUR
8000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4000+0.087 EUR
8000+0.079 EUR
12000+0.074 EUR
20000+0.069 EUR
28000+0.066 EUR
40000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_ZEH_ZEHUA_0001.pdf
2N7000
Hersteller: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_LGE_0001.pdf
2N7000
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_LGE_0001.pdf
2N7000
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 14702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1029+0.14 EUR
1123+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
4000+0.094 EUR
8000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1029 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 127976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2442+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
100000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2442 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
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2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
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2N7000
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
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2N7000
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
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2N7000
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
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2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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2N7000
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2N7000 2N7000_Fairchaild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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BS170-D26Z
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J177
Produktcode: 32362
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J177
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 30
Id,A: 0.05
/: THT
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1N4007
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1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
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2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4035
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2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,8
h21: 300
ZCODE: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
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40000 St. - erwartet 10.08.2026
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