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2N7000

2N7000 NXP

2N7000-D.PDF
Produktcode: 20638
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 1708 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 1658 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
auf Bestellung 1705 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7000
Produktcode: 200238
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2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
auf Bestellung 1705 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.11 EUR
8000+0.096 EUR
12000+0.09 EUR
20000+0.084 EUR
28000+0.081 EUR
40000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N7000 2N7000 ZEHUA T2N7000_ZEH_ZEHUA_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2N7000 2N7000 LGE T2N7000_LGE_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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2N7000 2N7000 LGE T2N7000_LGE_0001.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.13 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N7000 2N7000 DIOTEC T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 9881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1092+0.17 EUR
1191+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
4000+0.11 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1092 Stücke
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2N7000 2N7000 DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 11825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 127976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2442+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
100000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2442 Stücke
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2442+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2442 Stücke
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2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.29 EUR
374+0.23 EUR
432+0.2 EUR
736+0.12 EUR
876+0.098 EUR
1000+0.089 EUR
2000+0.081 EUR
4000+0.073 EUR
8000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 24840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 1552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.52 EUR
564+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 11021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
10+0.39 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
4000+0.17 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 61698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+0.57 EUR
904+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 92106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.6 EUR
899+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.73 EUR
140+0.61 EUR
159+0.54 EUR
266+0.32 EUR
309+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 61736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+0.84 EUR
306+0.56 EUR
899+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
50000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 92106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.88 EUR
295+0.57 EUR
899+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N7000 2N7000 DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.94 EUR
391+0.6 EUR
468+0.46 EUR
599+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
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2N7000 2N7000 onsemi 2n7000.pdf MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
auf Bestellung 111005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2N7000 2N7000 ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 33765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.54 EUR
265+0.88 EUR
414+0.52 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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2N7000 Fairchild/ON Semiconductor 2N7000_Fairchaild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.11 EUR
8000+0.096 EUR
12000+0.09 EUR
20000+0.084 EUR
28000+0.081 EUR
40000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_ZEH_ZEHUA_0001.pdf
2N7000
Hersteller: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_LGE_0001.pdf
2N7000
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_LGE_0001.pdf
2N7000
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.13 EUR
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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300+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 9881 Stücke:
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1092+0.17 EUR
1191+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
4000+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 4400006.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 11825 Stücke:
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4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 127976 Stücke:
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2442+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2442+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2442 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.29 EUR
374+0.23 EUR
432+0.2 EUR
736+0.12 EUR
876+0.098 EUR
1000+0.089 EUR
2000+0.081 EUR
4000+0.073 EUR
8000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 24840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
527+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 1552 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
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500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
337+0.52 EUR
564+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 11021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.54 EUR
10+0.39 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
4000+0.17 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 61698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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307+0.57 EUR
904+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
304+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
304+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 92106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.6 EUR
899+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1210 Stücke:
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117+0.73 EUR
140+0.61 EUR
159+0.54 EUR
266+0.32 EUR
309+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 61736 Stücke:
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208+0.84 EUR
306+0.56 EUR
899+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
50000+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 92106 Stücke:
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200+0.88 EUR
295+0.57 EUR
899+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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267+0.94 EUR
391+0.6 EUR
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599+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
auf Bestellung 111005 Stücke:
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3+1.17 EUR
10+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 33765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+1.54 EUR
265+0.88 EUR
414+0.52 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000_Fairchaild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
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BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
auf Bestellung 538 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J177
Produktcode: 32362
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J17x%2CMMBFJ17x.pdf
J177
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 0,05 A
Montage: THT
verfügbar: 335 St.
  • 15 St. - stock Köln
  • 320 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung 54882 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4035
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2N2222 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: THT
verfügbar: 5585 St.
  • 4 St. - stock Köln
  • 5581 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 4387 St.
  • 1164 St. - stock Köln
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erwartet: 40000 St.
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH