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BS170-D26Z

BS170-D26Z ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.18 EUR
4000+0.15 EUR
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Technische Details BS170-D26Z ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 830mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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2000+0.18 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.23 EUR
4000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
8000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.24 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.57 EUR
511+0.35 EUR
516+0.33 EUR
610+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
auf Bestellung 1464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.68 EUR
178+0.48 EUR
216+0.39 EUR
249+0.35 EUR
290+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
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294+0.58 EUR
308+0.54 EUR
511+0.31 EUR
516+0.3 EUR
610+0.24 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 20582 Stücke:
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10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.24 EUR
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BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 24363 Stücke:
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20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
387+0.61 EUR
503+0.43 EUR
667+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.18 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.23 EUR
4000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
8000+0.19 EUR
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BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
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2000+0.24 EUR
4000+0.21 EUR
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BS170-D26Z info-tbs170.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z info-tbs170.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
308+0.57 EUR
511+0.35 EUR
516+0.33 EUR
610+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
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BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
auf Bestellung 1464 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
125+0.68 EUR
178+0.48 EUR
216+0.39 EUR
249+0.35 EUR
290+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
197+0.89 EUR
294+0.58 EUR
308+0.54 EUR
511+0.31 EUR
516+0.3 EUR
610+0.24 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 20582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.06 EUR
10+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 24363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
198+1.26 EUR
387+0.61 EUR
503+0.43 EUR
667+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH