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BS250FTA

BS250FTA Diodes Zetex

bs250f.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 45V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BS250FTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BS250FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 90 mA, 9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm.

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BS250FTA BS250FTA Hersteller : Diodes Zetex bs250f.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
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BS250FTA BS250FTA Hersteller : Diodes Zetex bs250f.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
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BS250FTA BS250FTA Hersteller : Diodes Incorporated BS250F.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
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BS250FTA BS250FTA Hersteller : Diodes Zetex bs250f.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 252
BS250FTA BS250FTA Hersteller : DIODES INCORPORATED BS250F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -0.09A; Idm: -1.6A; 0.33W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1.6A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -0.09A
On-state resistance: 14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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177+ 0.41 EUR
197+ 0.36 EUR
257+ 0.28 EUR
272+ 0.26 EUR
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BS250FTA BS250FTA Hersteller : DIODES INCORPORATED BS250F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -0.09A; Idm: -1.6A; 0.33W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1.6A
Case: SOT23
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -0.09A
On-state resistance: 14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
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BS250FTA BS250FTA Hersteller : Diodes Incorporated BS250F.pdf MOSFET P-Chnl 45V
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BS250FTA BS250FTA Hersteller : Diodes Incorporated BS250F.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
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BS250FTA BS250FTA Hersteller : DIODES INC. DIODS07831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS250FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 90 mA, 9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
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BS250FTA BS250FTA Hersteller : DIODES INC. DIODS07831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS250FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 90 mA, 9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
auf Bestellung 1479 Stücke:
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BS250FTA Hersteller : DIODES/ZETEX BS250F.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C; BS250FTA TBS250fta
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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