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Technische Details BS270 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BS270 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BS270 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.87 EUR
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BS270 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag |
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BS270 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Kind of package: bulk Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BS270 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 2A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Kind of package: bulk Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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BS270 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 3088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS270 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS270 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel MOSFET |
auf Bestellung 3731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS270 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag |
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BS270 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS270 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| BS270 | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92 BS270 TBS270 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS270 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Bag |
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