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BS870-7-F

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BS870-7-F BS870-7-F Diodes Zetex ds11302.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.088 EUR
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BS870-7-F BS870-7-F Diodes Zetex ds11302.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
724+0.25 EUR
729+0.24 EUR
1117+0.15 EUR
1707+0.1 EUR
3000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 724 Stücke
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BS870-7-F BS870-7-F Diodes Incorporated ds11302.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
102+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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BS870-7-F BS870-7-F Diodes Incorporated ds11302.pdf MOSFETs 60V 310mW
auf Bestellung 18708 Stücke:
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6+0.57 EUR
13+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BS870-7-F BS870-7-F Diodes Zetex ds11302.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4897 Stücke:
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308+0.58 EUR
381+0.45 EUR
385+0.44 EUR
724+0.23 EUR
729+0.21 EUR
1117+0.13 EUR
1707+0.083 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
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BS870-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
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BS870-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
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