Technische Details BSB008NE2LXXUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 89W, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.8mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 25V, Power dissipation: 89W, Drain current: 180A, Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2.
Weitere Produktangebote BSB008NE2LXXUMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSB008NE2LXXUMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSB008NE2LXXUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BSB008NE2LXXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 89W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 25V Power dissipation: 89W Drain current: 180A Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSB008NE2LXXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
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Stück im Wert von UAH
| BSB008NE2LXXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
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| BSB008NE2LXXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 89W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 89W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
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