BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Technische Details BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, euEccn: TBC, hazardous: false, productTraceability: No, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BSB012N03LX3GXUMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BSB012N03LX3GXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON T/R |
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