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BSB012N03LX3GXUMA1 ROCHESTER ELECTRONICS


INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
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productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4398 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 267 Stücke
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Technische Details BSB012N03LX3GXUMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSB012N03LX3GXUMA1 - BSB012N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, euEccn: TBC, hazardous: false, productTraceability: No, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 4398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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BSB012N03LX3GXUMA1 INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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