BSB028N06NN3GXUMA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
OptiMOS 3 Power-MOSFET

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Technische Details BSB028N06NN3GXUMA2 Infineon Technologies

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	BSB028N06NN3GXUMA2	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	BSB028N06NN3GXUMA2	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH