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BSB028N06NN3GXUMA2

BSB028N06NN3GXUMA2 Infineon Technologies


7771bsb028n06nn3_g_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77.pdf Hersteller: Infineon Technologies
OptiMOS 3 Power-MOSFET
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Technische Details BSB028N06NN3GXUMA2 Infineon Technologies

OptiMOS 3 Power-MOSFET.

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BSB028N06NN3GXUMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSB028N06NN3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
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BSB028N06NN3GXUMA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSB028N06NN3_G_DataSheet_v01_00_EN-3360061.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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