| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 2.84 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 2500+ | 1.38 EUR |
| 4800+ | 1.31 EUR |
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Technische Details BSB104N08NP3GXUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSB104N08NP3GXUMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0104 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm.
Weitere Produktangebote BSB104N08NP3GXUMA2 nach Preis ab 1.2 EUR bis 4.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| BSB104N08NP3GXUMA2 | INFINEON |
 Description: INFINEON - BSB104N08NP3GXUMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0104 ohm, WDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSB104N08NP3GXUMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSB104N08NP3GXUMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0104 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
Description: INFINEON - BSB104N08NP3GXUMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0104 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.82 EUR |
| 83+ | 2.81 EUR |
| 126+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |