BSB104N08NP3GXUMA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V

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Technische Details BSB104N08NP3GXUMA2 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	BSB104N08NP3GXUMA2	Infineon Technologies	MOSFETs IFX FET > 60-80V	auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	1+ 4.05 EUR 10+ 2.53 EUR 100+ 1.67 EUR 500+ 1.32 EUR 1000+ 1.18 EUR 2500+ 1.13 EUR 4800+ 1.04 EUR kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

BSB104N08NP3GXUMA2

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MOSFETs IFX FET > 60-80V

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