BSC007N04LS6 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 6.79 EUR |
| 28+ | 6.41 EUR |
| 50+ | 6.03 EUR |
| 100+ | 5.7 EUR |
| 250+ | 5.44 EUR |
| 500+ | 5.21 EUR |
| 1000+ | 4.96 EUR |
| 2500+ | 4.86 EUR |
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Technische Details BSC007N04LS6 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 48A, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 48A, On-state resistance: 0.7mΩ, Gate charge: 94nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote BSC007N04LS6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC007N04LS6 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 48A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Drain current: 48A On-state resistance: 0.7mΩ Gate charge: 94nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC007N04LS6 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
On-state resistance: 0.7mΩ
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
On-state resistance: 0.7mΩ
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
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