BSC010N04LSI Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 5.96 EUR |
| 32+ | 5.63 EUR |
| 50+ | 5.3 EUR |
| 100+ | 5 EUR |
| 250+ | 4.77 EUR |
| 500+ | 4.57 EUR |
| 1000+ | 4.36 EUR |
| 2500+ | 4.26 EUR |
| 5000+ | 4.18 EUR |
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Technische Details BSC010N04LSI Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 40V, Power dissipation: 139W, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 122nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote BSC010N04LSI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC010N04LSI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 139W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC010N04LSI |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
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