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BSC010NE2LSATMA1

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Produktcode: 219529
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON 1849649.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
122+1.76 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon info-tbsc010ne2ls.pdf N-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON 1849649.pdf Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15925 Stücke:
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72+3.47 EUR
96+2.44 EUR
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5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010ne2lsdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010NE2LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010NE2LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+0.95 EUR
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Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC010NE2LSATMA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BSC010NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.47 EUR
96+2.44 EUR
122+1.76 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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