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BSC014N04LSTATMA1

Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
Produktcode: 198659
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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117+1.5 EUR
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auf Bestellung 7506 Stücke:
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340+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6218 Stücke:
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340+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+2.14 EUR
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
124+1.74 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 7804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
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1+4.57 EUR
10+2.43 EUR
100+1.78 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.36 EUR
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 4915 Stücke:
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50+5.02 EUR
95+2.46 EUR
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BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
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Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
117+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7506 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
340+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
340+1.92 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1 INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.46 EUR
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500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 7804 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.48 EUR
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BSC014N04LSTATMA1 Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN.pdf
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10+2.43 EUR
100+1.78 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.36 EUR
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BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
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124+1.74 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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