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BSC014N04LSTATMA1

Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
Produktcode: 198659
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
340+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 340 Stücke
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6218 Stücke:
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500+1.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 340 Stücke
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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49+3.01 EUR
97+1.5 EUR
98+1.45 EUR
99+1.4 EUR
123+1.11 EUR
250+1.04 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
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1+3.78 EUR
10+1.94 EUR
100+1.42 EUR
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 7804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.4 EUR
10+2.82 EUR
100+1.93 EUR
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4915 Stücke:
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4915 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
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Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6218 Stücke:
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AnzahlPreis
340+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
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Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPreis
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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97+1.5 EUR
98+1.45 EUR
99+1.4 EUR
123+1.11 EUR
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BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 7804 Stücke:
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4+4.4 EUR
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100+1.93 EUR
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1000+1.42 EUR
2000+1.31 EUR
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BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
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BSC014N04LSTATMA1 INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1 INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSTATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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