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BSC027N06LS5ATMA1

BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
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Technische Details BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON 2849732.pdf Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
250+2.05 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc027n06ls5_datasheet_en.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 31802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.28 EUR
10+1.57 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.04 EUR
5000+0.87 EUR
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BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
auf Bestellung 24085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.13 EUR
50+1.59 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n06ls5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n06ls5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON 2849732.pdf Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
89+2.62 EUR
250+2.05 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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BSC027N06LS5ATMA1 2849732.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.62 EUR
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1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC027N06LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 31802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.28 EUR
10+1.57 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.04 EUR
5000+0.87 EUR
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BSC027N06LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
auf Bestellung 24085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.37 EUR
10+2.13 EUR
50+1.59 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 806 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
41+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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BSC027N06LS5ATMA1 infineon-bsc027n06ls5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1 2849732.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.7 EUR
89+2.62 EUR
250+2.05 EUR
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