BSC027N10NS5 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 9.32 EUR |
| 25+ | 8.79 EUR |
| 50+ | 8.27 EUR |
| 100+ | 7.82 EUR |
| 250+ | 7.46 EUR |
| 500+ | 7.15 EUR |
| 1000+ | 6.81 EUR |
| 2500+ | 6.66 EUR |
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Technische Details BSC027N10NS5 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 23A, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 23A, On-state resistance: 2.7mΩ, Gate charge: 89nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote BSC027N10NS5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC027N10NS5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 23A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A On-state resistance: 2.7mΩ Gate charge: 89nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC027N10NS5 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate charge: 89nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate charge: 89nC
Kind of channel: enhancement
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