BSC028N06NST Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.59 EUR |
| 50+ | 4.36 EUR |
| 100+ | 4.12 EUR |
| 250+ | 3.9 EUR |
| 500+ | 3.74 EUR |
| 1000+ | 3.59 EUR |
| 2500+ | 3.43 EUR |
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Technische Details BSC028N06NST Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 24A, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 24A, On-state resistance: 2.8mΩ, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 37nC.
Weitere Produktangebote BSC028N06NST
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC028N06NST | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 24A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A On-state resistance: 2.8mΩ Kind of channel: enhancement Gate charge: 37nC |
auf Bestellung 4992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 26 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC028N06NST |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
On-state resistance: 2.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
On-state resistance: 2.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
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