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BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
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121+1.44 EUR
122+1.42 EUR
134+1.25 EUR
500+1.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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111+1.57 EUR
121+1.39 EUR
122+1.33 EUR
134+1.17 EUR
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1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.82 EUR
5000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
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278+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.51 EUR
30+2.93 EUR
33+2.58 EUR
50+1.83 EUR
100+1.59 EUR
250+1.38 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 16636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.76 EUR
69+2.52 EUR
100+2.2 EUR
500+1.81 EUR
2000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 11310 Stücke:
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1+5.76 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.87 EUR
10000+1.76 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON 1849732.pdf Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 14270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.65 EUR
50+4.66 EUR
250+2.95 EUR
1000+2.23 EUR
3000+2.17 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
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BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030P03NS3G.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+1.44 EUR
122+1.42 EUR
134+1.25 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+1.57 EUR
121+1.39 EUR
122+1.33 EUR
134+1.17 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.82 EUR
5000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 bsc030p03ns3g_2.0.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+3.51 EUR
30+2.93 EUR
33+2.58 EUR
50+1.83 EUR
100+1.59 EUR
250+1.38 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 bsc030p03ns3g_2.0.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 16636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.76 EUR
69+2.52 EUR
100+2.2 EUR
500+1.81 EUR
2000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.59 EUR
10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
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AnzahlPrivatkunde
1+5.76 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.87 EUR
10000+1.76 EUR
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BSC030P03NS3GAUMA1 1849732.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 14270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.65 EUR
50+4.66 EUR
250+2.95 EUR
1000+2.23 EUR
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 bsc030p03ns3g_2.0.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC030P03NS3GAUMA1 bsc030p03ns3g_2.0.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon-BSC030P03NS3G.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 59 Stücke:
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BSC014N04LSI
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