Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0501NSIATMA1
BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BSC0501NSIATMA1 nach Preis ab 0.37 EUR bis 5.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
566+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 566 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
124+1.39 EUR
142+1.18 EUR
200+1.08 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
115+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
10+2.19 EUR
100+1.55 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0501NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 20566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.12 EUR
100+1.46 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2 Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
77+3.03 EUR
115+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
566+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 566 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 infineon-bsc0501nsi-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.55 EUR
124+1.39 EUR
142+1.18 EUR
200+1.08 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.03 EUR
115+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.22 EUR
10+2.19 EUR
100+1.55 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 Infineon_BSC0501NSI_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 20566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.61 EUR
10+2.12 EUR
100+1.46 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0501NSIATMA1 Infineon-BSC0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014ef9e85b6214d2
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.18 EUR
77+3.03 EUR
115+1.88 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH