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BSC0504NSIATMA1

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Produktcode: 161029
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+0.42 EUR
484+0.36 EUR
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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.52 EUR
10000+0.49 EUR
15000+0.46 EUR
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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+1.13 EUR
226+1.04 EUR
298+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5689 Stücke:
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222+1.13 EUR
226+1.04 EUR
298+0.71 EUR
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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 24990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.58 EUR
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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0504NSI_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 7477 Stücke:
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2+2.89 EUR
10+1.8 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
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BSC0504NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
421+0.42 EUR
484+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 421 Stücke
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BSC0504NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC0504NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.52 EUR
10000+0.49 EUR
15000+0.46 EUR
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BSC0504NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
222+1.13 EUR
226+1.04 EUR
298+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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BSC0504NSIATMA1 Infineon-BSC0504NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f0286ff3c3d3d
BSC0504NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
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2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MOSFETs IFX FET 15V-30V
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BSC0504NSIATMA1 infineon-bsc0504nsi-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624eeb2bc7014f028.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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