Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1


Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f
Produktcode: 216795
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

erwartet 14 Stück:

14 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote BSC059N04LS6ATMA1 nach Preis ab 0.47 EUR bis 2.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f Description: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.49 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc059n04ls6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
226+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc059n04ls6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
786+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 786
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC059N04LS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 26601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.01 EUR
10+0.8 EUR
100+0.68 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f Description: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
auf Bestellung 22701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.04 EUR
14+1.29 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : INFINEON 2792916.pdf Description: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 5900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : INFINEON 2792916.pdf Description: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 5900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc059n04ls6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC059N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH