BSC060N10NS3 G Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 4.27 EUR |
| 50+ | 4.05 EUR |
| 100+ | 3.83 EUR |
| 250+ | 3.63 EUR |
| 500+ | 3.47 EUR |
| 1000+ | 3.34 EUR |
| 2500+ | 3.19 EUR |
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Technische Details BSC060N10NS3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Power dissipation: 125W, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 360A, Version: ESD.
Weitere Produktangebote BSC060N10NS3 G nach Preis ab 2.03 EUR bis 6.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSC060N10NS3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 4113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC060N10NS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A Version: ESD |
auf Bestellung 4143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 27 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC060N10NS3 G |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.28 EUR |
| 10+ | 4.08 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.18 EUR |
| 2500+ | 2.03 EUR |
| BSC060N10NS3 G |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
auf Bestellung 4143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)