BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC060N10NS3GATMA1 nach Preis ab 0.8 EUR bis 3.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC060N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R |
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