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BSC060N10NS3GATMA1

BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 11793 Stücke:
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100+3.5 EUR
250+2.92 EUR
1000+2.25 EUR
3000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
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41+4.22 EUR
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1000+1.46 EUR
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc060n10ns3_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
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1+5.71 EUR
10+3.33 EUR
100+2.56 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.95 EUR
5000+1.87 EUR
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 11793 Stücke:
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33+7.62 EUR
67+3.5 EUR
250+2.92 EUR
1000+2.25 EUR
3000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+1.5 EUR
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BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 37970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
246+2.62 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
10000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
246+2.62 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
10000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3264 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
246+2.62 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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BSC060N10NS3GATMA1 3959527.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 11793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.5 EUR
250+2.92 EUR
1000+2.25 EUR
3000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.22 EUR
74+2.32 EUR
100+2.07 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.22 EUR
74+2.26 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.68 EUR
10+3.68 EUR
50+2.82 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC060N10NS3GATMA1 infineon_bsc060n10ns3_g_datasheet_en.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.71 EUR
10+3.33 EUR
100+2.56 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.95 EUR
5000+1.87 EUR
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BSC060N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 11793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.62 EUR
67+3.5 EUR
250+2.92 EUR
1000+2.25 EUR
3000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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