Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC060N10NS3GATMA1
BSC060N10NS3GATMA1

BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC060N10NS3GATMA1 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
109+1.36 EUR
125+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
89+1.66 EUR
103+1.34 EUR
118+1.13 EUR
250+1.07 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC060N10NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360725.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 16805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.69 EUR
10+2.01 EUR
100+1.78 EUR
250+1.66 EUR
500+1.50 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.74 EUR
57+2.54 EUR
100+2.36 EUR
250+2.20 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.93 EUR
2500+1.80 EUR
5000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
auf Bestellung 22309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.06 EUR
10+2.24 EUR
100+1.75 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON 3959527.pdf Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc060n10ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3870A4C1B9E811C&compId=BSC060N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=b2d6c506eb9638c4912369905e538b96cf85d758 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH