Technische Details BSC0702LS Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC0702LS | Infineon | 60V 100A 83W 2.3mO@10V,50A 2.3V@49uA 1PCSNChannel TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSC0702LS | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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| BSC0702LS | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
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| BSC0702LS |
Hersteller: Infineon
60V 100A 83W 2.3mO@10V,50A 2.3V@49uA 1PCSNChannel TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS Транзистори
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Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
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MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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