BSC070N10NS5 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 3.39 EUR |
| 54+ | 3.21 EUR |
| 100+ | 3.05 EUR |
| 250+ | 2.88 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |
| 2500+ | 2.53 EUR |
| 5000+ | 2.49 EUR |
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Technische Details BSC070N10NS5 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 80A, On-state resistance: 7mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 320A, Gate charge: 30nC, Version: ESD.
Weitere Produktangebote BSC070N10NS5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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BSC070N10NS5 | Infineon Technologies |
 MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC070N10NS5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Gate charge: 30nC Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 41 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC070N10NS5 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BSC070N10NS5 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
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