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BSC070N10NS5SCATMA1

BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC070N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7de4910086
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
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Technische Details BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC070N10NS5SCATMA1 nach Preis ab 1.81 EUR bis 6.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC070N10NS5SCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1 INFINEON 3097837.pdf Description: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC070N10NS5SCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC070N10NS5SC_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 8620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+3.64 EUR
100+2.53 EUR
500+2.14 EUR
2000+2.12 EUR
4000+1.81 EUR
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BSC070N10NS5SCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC070N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7de4910086 Description: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 6035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.46 EUR
50+3.44 EUR
100+3.11 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC070N10NS5SCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1 INFINEON 3097837.pdf Description: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
52+4.47 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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BSC070N10NS5SCATMA1 3097837.pdf
BSC070N10NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 8620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+3.64 EUR
100+2.53 EUR
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2000+2.12 EUR
4000+1.81 EUR
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BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon-BSC070N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7de4910086
BSC070N10NS5SCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
auf Bestellung 6035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.85 EUR
10+4.46 EUR
50+3.44 EUR
100+3.11 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC070N10NS5SCATMA1 3097837.pdf
BSC070N10NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.93 EUR
52+4.47 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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