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BSC072N08NS5ATMA1

BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
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500+1.50 EUR
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC072N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3360753.pdf MOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8
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10+1.59 EUR
100+1.41 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.24 EUR
5000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25951 Stücke:
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38722EF2F23A11C&compId=BSC072N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=c26e399b4328c18b246b5e82a3b4ee2831baf95e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38722EF2F23A11C&compId=BSC072N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=c26e399b4328c18b246b5e82a3b4ee2831baf95e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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