BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
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Technische Details BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.
Weitere Produktangebote BSC072N08NS5ATMA1 nach Preis ab 1.11 EUR bis 4.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 3262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8 |
auf Bestellung 17883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V |
auf Bestellung 48501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC072N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm |
auf Bestellung 16382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC072N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm |
auf Bestellung 16382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC072N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 45+ | 3.28 EUR |
| 65+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 2000+ | 1.11 EUR |
| BSC072N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8
MOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.94 EUR |
| 10+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 1.72 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.28 EUR |
| 2500+ | 1.25 EUR |
| 5000+ | 1.21 EUR |
| BSC072N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.58 EUR |
| 10+ | 2.95 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| 2000+ | 1.38 EUR |
| BSC072N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
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| BSC072N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 74A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: OptiMOS 5
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 16382 Stücke:
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| BSC072N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
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