BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BSC079N03LSCGATMA1 nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.47 EUR
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON |
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