BSC0805LSATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
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Technische Details BSC0805LSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.
Weitere Produktangebote BSC0805LSATMA1 nach Preis ab 1.86 EUR bis 6.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSC0805LSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 11153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC0805LSATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 3077 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0805LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 11153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.15 EUR |
| 10+ | 4 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
| 2500+ | 2 EUR |
| BSC0805LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: TDSON
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Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 3077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.25 EUR |
| 62+ | 3.76 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |


