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BSC0805LSATMA1

BSC0805LSATMA1 INFINEON

Infineon-BSC0805LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff09a510e4f7b
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
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Technische Details BSC0805LSATMA1 INFINEON

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC0805LSATMA1 BSC0805LSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc0805lsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
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