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BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.35 EUR
10000+0.32 EUR
15000+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 70720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.68 EUR
259+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
20000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 47142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.61 EUR
10000+0.57 EUR
25000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.21 EUR
98+0.87 EUR
113+0.75 EUR
135+0.63 EUR
142+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 31819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 71554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.63 EUR
223+1.05 EUR
269+0.8 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 18378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 9300 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
auf Bestellung 53799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
177+1.32 EUR
272+0.79 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.35 EUR
10000+0.32 EUR
15000+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 70720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.68 EUR
259+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.3 EUR
20000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 47142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.61 EUR
10000+0.57 EUR
25000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+1.21 EUR
98+0.87 EUR
113+0.75 EUR
135+0.63 EUR
142+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 31819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 71554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
154+1.63 EUR
223+1.05 EUR
269+0.8 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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BSC093N04LSGATMA1 Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 18378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.12 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.54 EUR
5000+0.48 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 9300 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
auf Bestellung 53799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
177+1.32 EUR
272+0.79 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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