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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
BSC 100AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0039" (0.100mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.43 EUR
4+50.76 EUR
8+48.08 EUR
24+45.43 EUR
100+37.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.25 EUR
4+60.09 EUR
8+56.94 EUR
24+53.77 EUR
100+44.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 1TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.72 EUR
4+88.09 EUR
8+83.46 EUR
24+78.81 EUR
100+64.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 1TT50 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.56 EUR
4+97.42 EUR
8+92.29 EUR
24+87.17 EUR
100+71.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 2GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.08 EUR
4+69.43 EUR
8+65.77 EUR
24+62.11 EUR
100+51.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 2TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+132.02 EUR
4+125.42 EUR
8+118.82 EUR
24+112.22 EUR
100+92.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 HTGAISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 249MM X 239MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC-SS-148L
Produktcode: 89390
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KLSRelais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: 1C; U-Spule: 48V; I-komm: 2А/125VAC
Abmessungen: 12,6x10x7,5mm
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.26 EUR
10+1.1 EUR
100+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC/0/100TRENDDescription: TREND - BSC/0/100 - BISCUIT NO 0, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC/10/100TRENDDescription: TREND - BSC/10/100 - BISCUIT NO 10 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC/20/100TRENDDescription: TREND - BSC/20/100 - BISCUIT NO 20, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC/MIX/100TRENDDescription: TREND - BSC/MIX/100 - BISCUIT MIXED 0/10/20 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.14 EUR
10+2.85 EUR
100+1.96 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 40574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.66 EUR
10+2.73 EUR
100+1.97 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 14549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.7 EUR
10+2.66 EUR
100+2.08 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.6 EUR
2500+1.55 EUR
5000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
auf Bestellung 9650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.61 EUR
10+2.59 EUR
100+2.02 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesSP004819078
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 510µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesSP004819084
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 12064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+2.66 EUR
100+1.94 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.41 EUR
5000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
10+2.78 EUR
100+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 76811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+2.43 EUR
100+2.29 EUR
500+2.2 EUR
5000+1.87 EUR
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC007N04LS6ATMA1
Produktcode: 161378
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 6154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+2.48 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.14 EUR
10+4.04 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC007N04LS6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC007N04LS6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+4.33 EUR
100+3.06 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.8 EUR
2000+2.78 EUR
4000+2.76 EUR
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BSC007N04LS6SCATMA1 транзистор
Produktcode: 208581
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC009N04LSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.16 EUR
70+2 EUR
71+1.8 EUR
100+1.63 EUR
250+1.54 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
auf Bestellung 2783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5 EUR
10+3.48 EUR
100+2.43 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.83 EUR
2000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+3.89 EUR
25+3.7 EUR
100+2.85 EUR
250+2.75 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS
Produktcode: 160463
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IC > IC Operationsverstärker
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+2.06 EUR
25+2.04 EUR
100+1.85 EUR
250+1.74 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSInfineon
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+5.97 EUR
50+2.81 EUR
54+2.47 EUR
100+1.92 EUR
200+1.73 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.41 EUR
2000+1.31 EUR
5000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
auf Bestellung 14935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.4 EUR
10+2.14 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1
Produktcode: 173879
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet 6 Stück:
6 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
auf Bestellung 12446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
10+2.5 EUR
100+1.72 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC009NE2LS5IInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IInfineon TechnologiesMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.7 EUR
50+3.44 EUR
100+3.2 EUR
250+2.98 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.6 EUR
2500+2.43 EUR
5000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC009NE2LS5IATMA1
Produktcode: 195332
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.67 EUR
100+1.54 EUR
250+1.42 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.06 EUR
10000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.26 EUR
116+1.19 EUR
118+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
auf Bestellung 3577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.2 EUR
10+2.19 EUR
100+1.81 EUR
500+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.54 EUR
79+1.76 EUR
100+1.62 EUR
200+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
auf Bestellung 2952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.16 EUR
100+1.8 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.48 EUR
5000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.26 EUR
116+1.19 EUR
118+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 31368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+1.99 EUR
25+1.9 EUR
100+1.48 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 31368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
auf Bestellung 48686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.75 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 30855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.59 EUR
58+2.41 EUR
100+2.24 EUR
250+2.09 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.82 EUR
2500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 8019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.45 EUR
10+2.31 EUR
100+1.7 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+2.22 EUR
100+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.35 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.21 EUR
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
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BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 5000
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9743 Stücke:
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70+1.97 EUR
100+1.54 EUR
500+1.16 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10181 Stücke:
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BSC010N04LS6ATMA1
Produktcode: 192753
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 59451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 24938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
10+2.08 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 70676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+2.09 EUR
100+1.57 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.15 EUR
5000+1.05 EUR
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.67 EUR
100+1.39 EUR
113+1.18 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 86
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BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 59451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 15302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+2.66 EUR
100+1.9 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.35 EUR
50+4.03 EUR
100+3.75 EUR
250+3.5 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.06 EUR
2500+2.86 EUR
5000+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.72 EUR
100+1.64 EUR
500+1.57 EUR
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.78 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.44 EUR
97+1.38 EUR
100+1.32 EUR
250+1.26 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
auf Bestellung 7498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.26 EUR
10+3.31 EUR
100+2.48 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.44 EUR
97+1.38 EUR
100+1.32 EUR
250+1.26 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 5109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.12 EUR
10+3.57 EUR
100+2.8 EUR
500+2.29 EUR
1000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.91 EUR
56+2.49 EUR
100+1.9 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.66 EUR
2000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.36 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BSC010NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 7162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.57 EUR
100+1.31 EUR
500+1.24 EUR
5000+1.05 EUR
10000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
auf Bestellung 10852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.85 EUR
13+1.43 EUR
100+1.04 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 32508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.39 EUR
25+1.26 EUR
100+1.06 EUR
250+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1InfineonN-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIInfineon
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.54 EUR
10+2.27 EUR
100+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.13 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
auf Bestellung 11260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.59 EUR
10+2.01 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 35212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.88 EUR
100+1.45 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.13 EUR
5000+0.98 EUR
10000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 35112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 32906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.04 EUR
100+1.42 EUR
500+1.2 EUR
1000+1 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSInfineon technologies
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2 EUR
100+1.84 EUR
250+1.7 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.47 EUR
2500+1.36 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LS E8186Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.08 EUR
144+0.93 EUR
250+0.89 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1516 Stücke:
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116+1.24 EUR
128+1.04 EUR
144+0.89 EUR
250+0.85 EUR
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1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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2+2.15 EUR
10+1.62 EUR
25+1.58 EUR
100+1.23 EUR
250+1.22 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1475000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 31485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.39 EUR
11+1.74 EUR
100+1.31 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 131
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.97 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.97 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSIInfineon technologies
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC011N03LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 10564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+1.71 EUR
100+1.21 EUR
500+1 EUR
1000+0.96 EUR
5000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.58 EUR
99+1.4 EUR
102+1.31 EUR
111+1.16 EUR
250+1.07 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.58 EUR
99+1.4 EUR
102+1.31 EUR
111+1.16 EUR
250+1.07 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 14575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.1 EUR
10+1.97 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.29 EUR
113+1.23 EUR
115+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.11 EUR
55+2.53 EUR
100+2.3 EUR
200+2.2 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.61 EUR
5000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.07 EUR
10+3.01 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
auf Bestellung 4898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.01 EUR
10+2.94 EUR
100+2.03 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 12613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.71 EUR
10+4.58 EUR
100+3.23 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.44 EUR
10+4.24 EUR
100+2.94 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.6 EUR
5000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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BSC014N03MS G
Produktcode: 203094
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC014N03MS GINFINEONQFN
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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BSC014N04LS
Produktcode: 148887
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC014N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 4993 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC014N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 4338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.9 EUR
100+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.81 EUR
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BSC014N04LSInfineon
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.28 EUR
84+1.65 EUR
100+1.47 EUR
200+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
auf Bestellung 8987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.46 EUR
10+1.85 EUR
100+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.21 EUR
87+1.6 EUR
100+1.42 EUR
200+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 9849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.9 EUR
100+1.28 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.04 EUR
50+3.75 EUR
100+3.49 EUR
250+3.25 EUR
500+3.04 EUR
1000+2.84 EUR
2500+2.65 EUR
5000+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 27563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.62 EUR
100+1.88 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.27 EUR
5000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSI
Produktcode: 196252
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 30586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.42 EUR
100+1.77 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 71411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.41 EUR
100+1.8 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.27 EUR
5000+1.23 EUR
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.18 EUR
100+1.65 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 66
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.89 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 284
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 740000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.47 EUR
380000+1.29 EUR
570000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.01 EUR
65+2.12 EUR
100+1.99 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.89 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 284
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.89 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 284
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.01 EUR
66+2.11 EUR
100+1.58 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BSC014N04LSTInfineon TechnologiesDescription: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC014N04LSTATMA1
Produktcode: 198659
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 127
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 8848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.25 EUR
100+1.53 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSInfineon technologies
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSInfineon
auf Bestellung 365000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC014N06NS
Produktcode: 144121
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC014N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 4221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+3.75 EUR
100+2.94 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.22 EUR
5000+1.94 EUR
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BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.63 EUR
10+3.7 EUR
100+2.59 EUR
500+2.29 EUR
1000+2.24 EUR
2500+2.22 EUR
5000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.18 EUR
52+2.65 EUR
100+2.44 EUR
200+2.33 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 34078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.69 EUR
100+2.58 EUR
500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30; Qg, нКл = 89 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 156; PG-TDSON-8
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSE8230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0014 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0014 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
auf Bestellung 10561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+4 EUR
100+2.87 EUR
500+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.69 EUR
50+3.49 EUR
100+3.07 EUR
500+2.6 EUR
1000+2.46 EUR
2000+2.18 EUR
5000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.82 EUR
10+3.23 EUR
100+2.82 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.51 EUR
45+3.1 EUR
46+2.93 EUR
100+2.57 EUR
250+2.41 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.51 EUR
45+3.1 EUR
46+2.93 EUR
100+2.57 EUR
250+2.41 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+3.52 EUR
100+2.97 EUR
500+2.78 EUR
5000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 9832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+1.95 EUR
100+1.35 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIInfineon technologies
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.69 EUR
92+1.51 EUR
109+1.22 EUR
200+1.11 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
auf Bestellung 11218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.66 EUR
10+1.87 EUR
100+1.29 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.97 EUR
100+1.39 EUR
500+1.13 EUR
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BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.04 EUR
100+1.41 EUR
500+1.2 EUR
1000+1 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.87 EUR
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BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 12712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+2.31 EUR
100+1.87 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC015NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 21919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
12+1.49 EUR
100+1.11 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC015NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.36 EUR
68+2.04 EUR
69+1.94 EUR
100+1.48 EUR
250+1.41 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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BSC016N03LS GInfineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSC016N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+2.25 EUR
100+1.8 EUR
250+1.67 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
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BSC016N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC016N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 8554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
306+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 306
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.97 EUR
100+1.6 EUR
250+1.59 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC016N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+2.29 EUR
100+1.67 EUR
250+1.64 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGInfineon
auf Bestellung 7713 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.16 EUR
80+1.66 EUR
101+1.27 EUR
250+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC016N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.72 EUR
101+1.32 EUR
250+1.26 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.78 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC016N04LS GInfineon
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC016N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+3.47 EUR
100+2.66 EUR
500+2.22 EUR
1000+2.13 EUR
5000+1.81 EUR
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BSC016N04LSGInfineon technologies
auf Bestellung 5 Stücke:
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BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+2.68 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC016N04LSGATMA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N04LSGATMA1 BSC016N04LS G TBSC016n04ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+2.68 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N06NS
Produktcode: 165006
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BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSC016N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+2.92 EUR
51+2.71 EUR
100+2.52 EUR
250+2.35 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.05 EUR
2500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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BSC016N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.97 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
5000+1.44 EUR
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BSC016N06NSInfineon
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.21 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 242
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 9973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.69 EUR
100+2.02 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.57 EUR
5000+1.48 EUR
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.21 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.71 EUR
10000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 242
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 16418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
10+2.94 EUR
100+2.08 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.57 EUR
44+3.18 EUR
100+2.28 EUR
500+1.98 EUR
4000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.57 EUR
44+3.18 EUR
100+2.28 EUR
500+1.98 EUR
4000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSP005346690
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.11 EUR
10+4.01 EUR
100+2.82 EUR
500+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.26 EUR
50+2.99 EUR
100+2.41 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 26628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+3.59 EUR
100+2.69 EUR
500+2.41 EUR
2500+2.36 EUR
5000+2.04 EUR
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 12541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.95 EUR
10+3.63 EUR
100+2.67 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC016N06NSTATMA1
Produktcode: 170205
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC017N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
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BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC017N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
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BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC018N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9955 Stücke:
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2+1.85 EUR
10+1.32 EUR
100+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC018N04LSGInfineon technologies
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC018N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1 EUR
145+0.95 EUR
175+0.76 EUR
250+0.72 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
626+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 626
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 18665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.89 EUR
10+1.84 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.18 EUR
143+0.96 EUR
145+0.92 EUR
175+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSInfineonN-MOSFET 25V 29A 1.8mΩ BSC018NE2LSI, BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS Infineon TBSC018ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 6992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.2 EUR
100+0.86 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
auf Bestellung 5135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
11+1.61 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 48286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.07 EUR
100+0.83 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
auf Bestellung 9250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
10+1.94 EUR
100+1.51 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.03 EUR
82+1.69 EUR
86+1.56 EUR
100+1.29 EUR
250+1.15 EUR
500+1 EUR
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BSC018NE2LSIATMA1
Produktcode: 109878
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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BSC019N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 20088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+2.82 EUR
100+2.24 EUR
250+2.06 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.53 EUR
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BSC019N02KSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC019N02KSGInfineonN-MOSFET 20V 100A BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KSG Infineon TBSC019n02ksg
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC019N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
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BSC019N04LSInfineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC019N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.77 EUR
201+0.69 EUR
206+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 187
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BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
auf Bestellung 14694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
15+1.19 EUR
100+0.98 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.18 EUR
100+0.97 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.89 EUR
187+0.74 EUR
201+0.66 EUR
206+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 160
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BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
auf Bestellung 4989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
11+1.72 EUR
25+1.56 EUR
100+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.8 EUR
10+1.78 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
auf Bestellung 9942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
10+1.77 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP BSC019N04NSGATMA1 TBSC019n04ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSInfineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
auf Bestellung 16087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
10+2.19 EUR
25+1.99 EUR
100+1.78 EUR
250+1.67 EUR
500+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 5934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.5 EUR
100+2.22 EUR
250+2.11 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.88 EUR
2500+1.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30; Qg, нКл = 77 @ 10 В; Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА; Р, Вт = 136; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8 FL
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.82 EUR
63+2.19 EUR
100+1.98 EUR
200+1.89 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+5.37 EUR
100+3.84 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.48 EUR
100+3.91 EUR
500+3.24 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesSP005560379
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC02000-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, 2POS, red
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020C0-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, red similar to RAL3017
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N025S GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N025SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N025SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSINF09+
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LS GInfineon
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.53 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGINFINEON09+ SOP8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGINFINEON
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 4248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.06 EUR
143+0.97 EUR
171+0.78 EUR
200+0.72 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.43 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.41 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.26 EUR
136+1.02 EUR
137+0.97 EUR
171+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
auf Bestellung 17744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.9 EUR
14+1.29 EUR
100+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGinfineon08+
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGInfineon technologies
auf Bestellung 3442 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 3335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.45 EUR
100+1.05 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
auf Bestellung 31315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.83 EUR
10+1.8 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
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BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC021N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
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BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 6810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.8 EUR
10+5.3 EUR
25+5.26 EUR
100+3.82 EUR
250+3.77 EUR
500+3.15 EUR
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BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.06 EUR
10+5.35 EUR
100+3.81 EUR
500+3.16 EUR
1000+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSC022N03Sinfineon06+ TDSON
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC022N03SInfineon TechnologiesArray
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BSC022N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
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BSC022N03SINF09+
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC022N03S GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 28A TDSON-8
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BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
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BSC022N03SGINFINEON07+ DIP16
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
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BSC022N03SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC022N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC022N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+2.04 EUR
100+1.59 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.1 EUR
2500+1.03 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC022N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC022N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.38 EUR
63+2.21 EUR
100+2.05 EUR
250+1.91 EUR
500+1.79 EUR
1000+1.67 EUR
2500+1.56 EUR
5000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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BSC022N04LS6Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
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BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC022N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.07 EUR
91+1.51 EUR
100+1.33 EUR
200+1.03 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 12724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.87 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 5472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.39 EUR
10+1.82 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+1.36 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 395
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.86 EUR
175+0.79 EUR
177+0.75 EUR
187+0.69 EUR
250+0.62 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 166
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BSC022N04LSATMA1
Produktcode: 131683
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+1.85 EUR
25+1.83 EUR
100+1.39 EUR
250+1.36 EUR
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BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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126+1.13 EUR
141+0.98 EUR
200+0.86 EUR
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1000+0.72 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 126
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BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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395+1.36 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 395
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BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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175+0.82 EUR
177+0.78 EUR
187+0.71 EUR
250+0.64 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 175
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+1.36 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 395
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 7618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.15 EUR
10+4.79 EUR
100+3.4 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.8 EUR
100+3.48 EUR
500+3.03 EUR
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BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561403
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BSC024N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSON
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BSC024N025SG
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC024NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.59 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 281
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+0.59 EUR
256+0.52 EUR
273+0.47 EUR
274+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.67 EUR
217+0.64 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 214
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BSC024NE2LSATMA1
Produktcode: 116188
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
auf Bestellung 12371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
14+1.34 EUR
100+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.34 EUR
100+0.96 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.85 EUR
100+1.44 EUR
500+1.22 EUR
1000+1 EUR
2500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 28329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 578
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.89 EUR
10000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC025N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 233-237 Tag (e)
2+2.25 EUR
10+1.87 EUR
100+1.44 EUR
500+1.22 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 578
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
auf Bestellung 38848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
10+1.84 EUR
100+1.43 EUR
500+1.22 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.68 EUR
100+1.12 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.78 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
525+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 525
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
525+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 525
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2 EUR
93+1.48 EUR
139+0.96 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.54 EUR
139+0.99 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesBSC025N08LS5
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.07 EUR
30+4.68 EUR
50+4.33 EUR
100+4.03 EUR
250+3.75 EUR
500+3.49 EUR
1000+3.26 EUR
2500+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+3.48 EUR
100+2.9 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.48 EUR
2500+2.45 EUR
5000+2.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+2.93 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 385000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
auf Bestellung 2022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.03 EUR
10+3.49 EUR
25+3.3 EUR
100+3.03 EUR
250+2.87 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.19 EUR
34+4.15 EUR
50+3.63 EUR
100+3.04 EUR
500+2.54 EUR
1000+2.23 EUR
2000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KS GInfineon
auf Bestellung 95000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 4897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.8 EUR
10+2.32 EUR
100+1.85 EUR
250+1.38 EUR
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGInfineon TechnologiesDescription: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
auf Bestellung 27190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 363
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGinfineon08+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
auf Bestellung 26892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 363
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC026N02KSGAUMA1 - BSC026N02 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.76 EUR
190+0.73 EUR
193+0.69 EUR
196+0.65 EUR
250+0.61 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 187
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.74 EUR
100+1.6 EUR
250+1.48 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.18 EUR
5000+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.97 EUR
100+1.52 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.95 EUR
152+0.91 EUR
165+0.81 EUR
250+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.03 EUR
155+0.89 EUR
157+0.85 EUR
173+0.74 EUR
250+0.7 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
14+1.29 EUR
100+1.01 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 8599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.81 EUR
100+0.7 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5Infineon
auf Bestellung 14128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.31 EUR
50+4 EUR
100+3.72 EUR
250+3.47 EUR
500+3.24 EUR
1000+3.03 EUR
2500+2.83 EUR
5000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.58 EUR
39+3.4 EUR
100+2.37 EUR
250+2.24 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.18 EUR
39+3.56 EUR
40+3.37 EUR
100+2.44 EUR
250+2.31 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.66 EUR
10+3.67 EUR
100+2.69 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
auf Bestellung 7937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.52 EUR
100+2.69 EUR
500+2.48 EUR
2500+2.32 EUR
5000+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.23 EUR
50+4.03 EUR
100+2.9 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.8 EUR
5000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
auf Bestellung 5765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.61 EUR
100+1.18 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 12300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.07 EUR
135+1.02 EUR
158+0.84 EUR
250+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.25 EUR
131+1.06 EUR
132+1 EUR
162+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 12300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
auf Bestellung 2558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.41 EUR
13+1.37 EUR
100+0.97 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.24 EUR
118+1.18 EUR
137+0.97 EUR
200+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N03SG
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.46 EUR
10+2.02 EUR
100+1.58 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGInfineonTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP BSC027N04LSG TBSC027n04lsg
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSG(XT)
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.15 EUR
67+1.99 EUR
100+1.54 EUR
250+1.45 EUR
500+1.21 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+2.01 EUR
100+1.56 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.02 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 30427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
13+1.37 EUR
100+1 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.52 EUR
64+2.07 EUR
67+1.92 EUR
100+1.48 EUR
250+1.39 EUR
500+1.16 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC027N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.03 EUR
10+3.34 EUR
100+2.68 EUR
250+2.66 EUR
500+2.24 EUR
1000+1.81 EUR
5000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC027N06LS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
auf Bestellung 89021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.1 EUR
10+2.74 EUR
100+1.88 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.6 EUR
25+6.09 EUR
50+5.64 EUR
100+5.24 EUR
250+4.88 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.24 EUR
2500+4.15 EUR
5000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 19598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.53 EUR
10+5.97 EUR
100+4.84 EUR
500+4.29 EUR
1000+3.68 EUR
2500+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.48 EUR
28+5.06 EUR
50+3.88 EUR
100+3.62 EUR
500+3.46 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 13188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
auf Bestellung 4869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.95 EUR
10+5.31 EUR
100+3.79 EUR
500+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.95 EUR
50+3.67 EUR
100+3.41 EUR
250+3.18 EUR
500+2.97 EUR
1000+2.78 EUR
2500+2.6 EUR
5000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 44876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+2.02 EUR
100+1.9 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.64 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.08 EUR
42+3.28 EUR
45+2.99 EUR
100+2.42 EUR
250+2.26 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 23472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+3.13 EUR
100+2.26 EUR
500+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 16359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+3.08 EUR
100+2.22 EUR
500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.2 EUR
54+2.58 EUR
100+2.35 EUR
200+2.25 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.65 EUR
5000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.08 EUR
42+3.28 EUR
45+2.99 EUR
100+2.42 EUR
250+2.26 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.85 EUR
100+2.25 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.55 EUR
5000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSInfineon
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSInfineon technologies
auf Bestellung 4524 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.14 EUR
10000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
38+1.89 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
250+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.68 EUR
100+2.15 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.72 EUR
2500+1.66 EUR
5000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.76 EUR
87+1.6 EUR
109+1.22 EUR
200+1.12 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.7 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.47 EUR
38+1.89 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
250+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 26736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.92 EUR
10+2.57 EUR
100+1.91 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+2.94 EUR
58+2.38 EUR
100+1.91 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 9764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+3.52 EUR
100+2.48 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.94 EUR
4000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 13117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.88 EUR
10+3.32 EUR
100+2.31 EUR
500+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSQUARE FLANGE RECETACLE
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BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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BSC028N06NSTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.5 EUR
50+3.25 EUR
100+3.02 EUR
250+2.82 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.46 EUR
2500+2.3 EUR
5000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.04 EUR
79+1.75 EUR
80+1.67 EUR
100+1.41 EUR
250+1.34 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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BSC028N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.18 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.67 EUR
10000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 246
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.96 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.27 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 131
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.04 EUR
79+1.75 EUR
80+1.67 EUR
100+1.41 EUR
250+1.34 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC028N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.18 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 246
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 10139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
10+2.81 EUR
100+2.1 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 5096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.01 EUR
10+2.99 EUR
25+2.97 EUR
100+2.32 EUR
250+2.31 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.8 EUR
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.18 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
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BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
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BSC029N025SGinfineon08+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC029N025SGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
auf Bestellung 8868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
402+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.83 EUR
85+1.63 EUR
86+1.55 EUR
100+1.3 EUR
250+1.22 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+2.32 EUR
100+1.85 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.54 EUR
10+2.94 EUR
100+2.03 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
auf Bestellung 4908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.8 EUR
10+2.46 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
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BSC030N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.33 EUR
100+0.93 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC030N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N03LSGinfineon08+
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC030N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC030N03LSGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC030N03LSGINFINEON1035+ TDSON-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC030N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.45 EUR
10000+0.42 EUR
25000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.62 EUR
100+0.58 EUR
250+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 20566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.71 EUR
100+0.63 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.49 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.45 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.7 EUR
227+0.61 EUR
229+0.58 EUR
253+0.51 EUR
255+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 204
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BSC030N03LSЎЎG
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC030N03MS GInfineonQFN
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC030N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 5913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.29 EUR
100+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC030N03MSG
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC030N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 9528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
14+1.3 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.49 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 6205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.34 EUR
25+1.24 EUR
100+0.89 EUR
250+0.86 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC030N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.66 EUR
218+0.61 EUR
500+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 217
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.27 EUR
100+0.88 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 238
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
auf Bestellung 25121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
12+1.47 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.6 EUR
254+0.54 EUR
268+0.5 EUR
279+0.46 EUR
280+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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5000+0.57 EUR
10000+0.55 EUR
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 5000
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BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4409 Stücke:
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC030N04NSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC030N08NS5Infineon technologies
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BSC030N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
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BSC030N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22959 Stücke:
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A
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1+4.33 EUR
10+2.73 EUR
100+1.99 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.53 EUR
5000+1.39 EUR
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
auf Bestellung 2246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.82 EUR
100+1.96 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22959 Stücke:
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesТранзистор, N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 139Вт, PG-TDSON-8
auf Bestellung 203 Stücke:
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561083
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.44 EUR
10+4.26 EUR
100+3.01 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.53 EUR
4000+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3 GInfineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 3826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.33 EUR
100+2.66 EUR
250+2.45 EUR
500+2.22 EUR
1000+1.94 EUR
5000+1.75 EUR
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BSC030P03NS3GInfineonP-MOSFET 30V 100A BSC030P03NS3G Infineon TBSC030p03ns3g
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 16636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.08 EUR
69+2.02 EUR
100+1.74 EUR
500+1.4 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 5077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.91 EUR
10+2.85 EUR
100+2.22 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC030P03NS3 G
Produktcode: 142919
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BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.43 EUR
32+2.25 EUR
38+1.93 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
32+2.25 EUR
38+1.93 EUR
66+1.09 EUR
71+1.02 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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278+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.29 EUR
121+1.15 EUR
122+1.1 EUR
134+0.96 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 111
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BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 27908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.43 EUR
10+2.5 EUR
100+1.85 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.19 EUR
122+1.14 EUR
134+0.99 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 121
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BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC031N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 6493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.64 EUR
100+1.94 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.62 EUR
5000+1.43 EUR
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BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC031N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC031N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC031N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC031N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 6199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SinfineonTDSON-8
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SINF09+
auf Bestellung 18503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03S GInfineon09+
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03S GINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SGinfineon09+
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SGinfineon06+
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH