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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
BSC 100AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0039" (0.100mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.43 EUR
4+50.76 EUR
8+48.08 EUR
24+45.43 EUR
100+37.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.25 EUR
4+60.09 EUR
8+56.94 EUR
24+53.77 EUR
100+44.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 1TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.72 EUR
4+88.09 EUR
8+83.46 EUR
24+78.81 EUR
100+64.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 1TT50 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.56 EUR
4+97.42 EUR
8+92.29 EUR
24+87.17 EUR
100+71.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 2GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.08 EUR
4+69.43 EUR
8+65.77 EUR
24+62.11 EUR
100+51.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 2TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+132.02 EUR
4+125.42 EUR
8+118.82 EUR
24+112.22 EUR
100+92.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 100 HTGAISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 249MM X 239MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 3115 900KVГрупа товару: Вимикачі автоматичні низьковольтні Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC 3115 900KVГрупа товару: Аксессуари до вимикачів силових автоматичних компактних Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC-SS-105L---(5 VDC) Група товару: Реле електромеханічні та геркони Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC-SS-106LТип контактів, 1C, Uкотушки: 6В, Iкомутації: 2А / 125VAC Група товару: Реле електромеханічні та геркони Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC-SS-109LТип контактов: 1C; Uкатушки: 9В; Iкомм: 2А/125VAC Група товару: Реле електромеханічні та геркони Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC-SS-148L
Produktcode: 89390
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KLSRelais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: 1C; U-Spule: 48V; I-komm: 2А/125VAC
Abmessungen: 12,6x10x7,5mm
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.26 EUR
10+1.1 EUR
100+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC/0/100TRENDDescription: TREND - BSC/0/100 - BISCUIT NO 0, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC/10/100TRENDDescription: TREND - BSC/10/100 - BISCUIT NO 10 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC/20/100TRENDDescription: TREND - BSC/20/100 - BISCUIT NO 20, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC/MIX/100TRENDDescription: TREND - BSC/MIX/100 - BISCUIT MIXED 0/10/20 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1InfineonN-Channel 25 V 40A (Ta), 479A (Tc) 2.5W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 19546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.12 EUR
10+2.66 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.72 EUR
10+3.08 EUR
100+2.11 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.49 EUR
5000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 480 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.66 EUR
10+3.02 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 480 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 510 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 510µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 510 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
auf Bestellung 4716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+2.99 EUR
100+2.06 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 7695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.68 EUR
10+2.99 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
2500+1.56 EUR
5000+1.5 EUR
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BSC007N04LS6Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
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BSC007N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.52 EUR
28+5.09 EUR
50+4.72 EUR
100+4.38 EUR
250+4.08 EUR
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2500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 138W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1
Produktcode: 161378
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.1 EUR
53+2.68 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 6154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+2.48 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+4.14 EUR
100+3.2 EUR
500+2.75 EUR
2500+2.64 EUR
5000+2.55 EUR
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6InfineonMOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC007N04LS6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.58 EUR
10+4.33 EUR
100+3.06 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.8 EUR
2000+2.78 EUR
4000+2.76 EUR
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BSC007N04LS6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6SCATMA1 транзистор
Produktcode: 208581
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC007N04LS6SCATMA2Infineon Technologies IFX FET 40V
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BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.82 EUR
81+1.73 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009N04LSSCATMA2Infineon Technologies IFX FET 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSInfineon
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC009NE2LS
Produktcode: 160463
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IC > IC Operationsverstärker
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 4929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.41 EUR
10+2.18 EUR
100+1.01 EUR
5000+0.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+2.99 EUR
51+2.77 EUR
100+2.58 EUR
250+2.4 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.1 EUR
2500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
auf Bestellung 10698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.27 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.11 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
auf Bestellung 14872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
10+2.31 EUR
100+1.57 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1
Produktcode: 173879
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC009NE2LS5ATMA1InfineonN-Channel 25V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC009NE2LS5IInfineon TechnologiesMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.48 EUR
50+3.23 EUR
100+3 EUR
250+2.8 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.44 EUR
2500+2.28 EUR
5000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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BSC009NE2LS5IInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
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BSC009NE2LS5IATMA1
Produktcode: 195332
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BSC009NE2LS5IATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
auf Bestellung 21515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.28 EUR
10+2.57 EUR
100+1.88 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.4 EUR
5000+1.35 EUR
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BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.28 EUR
115+1.22 EUR
116+1.16 EUR
118+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 113
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,... Група товару: Тран
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 1978 Stücke:
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.69 EUR
100+1.55 EUR
250+1.44 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.15 EUR
5000+1.07 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 86
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.29 EUR
10+2.77 EUR
100+1.9 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.28 EUR
115+1.22 EUR
116+1.16 EUR
118+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 113
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BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.06 EUR
10+1.96 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.94 EUR
100+1.34 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.03 EUR
5000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.02 EUR
78+1.8 EUR
100+1.57 EUR
200+1.17 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 26181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.36 EUR
100+1.61 EUR
500+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.76 EUR
55+2.56 EUR
100+2.38 EUR
250+2.22 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.94 EUR
2500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 7781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.14 EUR
10+2.67 EUR
100+1.83 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8045 Stücke:
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
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BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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42+3.48 EUR
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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46+3.14 EUR
68+2.06 EUR
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BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 50118 Stücke:
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
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4+4.49 EUR
10+2.9 EUR
100+1.99 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.53 EUR
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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43+3.4 EUR
66+2.14 EUR
67+2.02 EUR
68+1.92 EUR
100+1.31 EUR
250+1.25 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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BSC010N04LSATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 50118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.12 EUR
10+2.66 EUR
100+1.9 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.47 EUR
5000+1.37 EUR
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BSC010N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.84 EUR
32+4.47 EUR
50+4.14 EUR
100+3.84 EUR
250+3.58 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.11 EUR
2500+3.04 EUR
5000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+3.91 EUR
55+2.56 EUR
100+1.74 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.21 EUR
10000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+0.45 EUR
315+0.43 EUR
316+0.41 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 307
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
auf Bestellung 16789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.79 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.48 EUR
307+0.44 EUR
315+0.41 EUR
316+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.28 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.1 EUR
44+3.2 EUR
49+2.76 EUR
100+2.45 EUR
500+2.22 EUR
1000+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,... Група товару: Транзистори Корпус: PG
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
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BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 8024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.28 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 239
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BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 5109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.12 EUR
10+3.57 EUR
100+2.8 EUR
500+2.29 EUR
1000+2.15 EUR
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BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.28 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.9 EUR
10000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 239
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BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.9 EUR
100+1.31 EUR
500+1.24 EUR
5000+1.05 EUR
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BSC010NE2LSATMA1InfineonN-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.64 EUR
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BSC010NE2LSATMA1
Produktcode: 219529
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BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.54 EUR
10+2.27 EUR
100+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.13 EUR
5000+1.05 EUR
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BSC010NE2LSIInfineon
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+1.88 EUR
100+1.45 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.13 EUR
5000+0.98 EUR
10000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
auf Bestellung 9171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.56 EUR
10+2.28 EUR
100+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 35212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 35112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSInfineon technologies
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC011N03LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.03 EUR
100+1.87 EUR
250+1.72 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.38 EUR
5000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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BSC011N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 23411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.04 EUR
100+1.42 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.07 EUR
5000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSInfineonMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC011N03LS E8186Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.09 EUR
144+0.94 EUR
250+0.9 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 128
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.25 EUR
128+1.05 EUR
144+0.9 EUR
250+0.86 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1475000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 12357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.08 EUR
10+1.96 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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131+1.1 EUR
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.98 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 21984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.62 EUR
25+1.58 EUR
100+1.23 EUR
250+1.22 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.98 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+2.02 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
2500+1 EUR
5000+0.95 EUR
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BSC011N03LSIInfineon technologies
auf Bestellung 3 Stücke:
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BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.6 EUR
99+1.42 EUR
102+1.32 EUR
111+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.6 EUR
99+1.42 EUR
102+1.32 EUR
111+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 21405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.29 EUR
10+2.1 EUR
100+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.31 EUR
113+1.24 EUR
115+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.87 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.14 EUR
55+2.56 EUR
100+2.33 EUR
200+2.23 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.63 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.94 EUR
100+2.04 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.5 EUR
5000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
auf Bestellung 4598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.52 EUR
10+2.93 EUR
100+2.03 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 23891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+4.96 EUR
100+3.92 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.5 EUR
2500+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 12613 Stücke:
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3+6.71 EUR
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BSC014N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC014N03LSGInfineon technologies
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BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
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BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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BSC014N03MS GINFINEONQFN
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC014N03MS G
Produktcode: 203094
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
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BSC014N04LSInfineon
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BSC014N04LS
Produktcode: 148887
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC014N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+1.9 EUR
100+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.89 EUR
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BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
auf Bestellung 7526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 8219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.04 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
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BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.31 EUR
84+1.67 EUR
100+1.49 EUR
200+1.14 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.24 EUR
87+1.62 EUR
100+1.44 EUR
200+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.85 EUR
32+4.47 EUR
50+4.14 EUR
100+3.85 EUR
250+3.58 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.12 EUR
2500+3.05 EUR
5000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSI
Produktcode: 196252
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC014N04LSIInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TDSON-8 FL О
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 53 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 24954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.31 EUR
10+2.76 EUR
100+1.88 EUR
500+1.61 EUR
5000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1InfineonN-Channel 40V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.41 EUR
61+2.3 EUR
100+1.58 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+3.64 EUR
60+2.33 EUR
61+2.22 EUR
100+1.52 EUR
250+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 42336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.28 EUR
10+2.76 EUR
100+1.9 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.91 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 96 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 20 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 43758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.28 EUR
10+2.76 EUR
100+1.81 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.45 EUR
2500+1.4 EUR
5000+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.95 EUR
100+1.99 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.56 EUR
49+2.87 EUR
100+1.94 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.2 EUR
10000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+1.91 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTInfineon TechnologiesDescription: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 4695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.54 EUR
10+1.61 EUR
100+1.24 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.05 EUR
2500+1.04 EUR
5000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 127
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 8804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.73 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1
Produktcode: 198659
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 3W; TDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Power dissipation: 3W
Case: TDFN8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSInfineonMOSFET N-Ch 60V 30A TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NS
Produktcode: 144121
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 6007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.93 EUR
100+3.68 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.87 EUR
2500+2.85 EUR
5000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSInfineon
auf Bestellung 365000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.21 EUR
52+2.68 EUR
100+2.47 EUR
200+2.35 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 19514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Група товару: Т
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 887 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 67843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.02 EUR
10+4.64 EUR
100+3.28 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 8788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.11 EUR
10+4.7 EUR
100+3.33 EUR
500+2.87 EUR
2500+2.76 EUR
5000+2.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSE8230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 1400 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 1400 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC014N06NSSCATMA2Infineon Technologies IFX FET 60V
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BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC014N06NSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+3.74 EUR
50+3.54 EUR
100+3.1 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.49 EUR
2000+2.21 EUR
5000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
auf Bestellung 5116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.92 EUR
10+4.55 EUR
100+3.21 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.55 EUR
45+3.13 EUR
46+2.96 EUR
100+2.6 EUR
250+2.44 EUR
500+2.16 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 4928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.93 EUR
10+4.61 EUR
100+3.26 EUR
500+2.78 EUR
2500+2.69 EUR
5000+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.55 EUR
45+3.13 EUR
46+2.96 EUR
100+2.6 EUR
250+2.44 EUR
500+2.16 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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BSC014N06NSTATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC014NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 4817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+1.95 EUR
100+1.35 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.91 EUR
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BSC014NE2LSIInfineon technologies
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.71 EUR
92+1.53 EUR
109+1.24 EUR
200+1.12 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
auf Bestellung 11218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+1.94 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.78 EUR
100+1.3 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.97 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 12712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.6 EUR
10+2.31 EUR
100+1.87 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC015NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 80 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.39 EUR
68+2.06 EUR
69+1.96 EUR
100+1.5 EUR
250+1.42 EUR
500+1.16 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC015NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 33A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 33A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC015NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSC016N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.71 EUR
10+2.25 EUR
100+1.8 EUR
250+1.67 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC016N03LS GInfineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
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BSC016N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC016N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.97 EUR
100+1.6 EUR
250+1.59 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.8 EUR
250+0.77 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 8554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
306+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 306
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.77 EUR
250+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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BSC016N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC016N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+2.29 EUR
100+1.67 EUR
250+1.64 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.13 EUR
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BSC016N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGInfineon
auf Bestellung 7713 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.74 EUR
101+1.34 EUR
250+1.28 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.19 EUR
80+1.68 EUR
101+1.29 EUR
250+1.22 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LS GInfineonTrans MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LS GInfineon
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+3.47 EUR
100+2.66 EUR
500+2.22 EUR
1000+2.13 EUR
5000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSGInfineon technologies
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSGATMA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N04LSGATMA1 BSC016N04LS G TBSC016n04ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+2.71 EUR
500+2.35 EUR
1000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+2.71 EUR
500+2.35 EUR
1000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.97 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
5000+1.59 EUR
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BSC016N06NS
Produktcode: 165006
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC016N06NSInfineon
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.36 EUR
50+3.11 EUR
100+2.9 EUR
250+2.7 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.36 EUR
2500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.24 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.73 EUR
10000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 242
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2884 Stücke:
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N06NSATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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242+2.24 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.73 EUR
10000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 242
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 22633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.79 EUR
10+3.1 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
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BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
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53+2.74 EUR
60+2.35 EUR
100+1.98 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.66 EUR
4000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 5305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.69 EUR
10+4.39 EUR
100+3.09 EUR
500+2.53 EUR
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BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 7813 Stücke:
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78+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 78
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BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+2.07 EUR
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BSC016N06NSSCATMA2Infineon Technologies IFX FET 60V
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
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233+2.33 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 233
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BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
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100+2.69 EUR
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2500+2.36 EUR
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.33 EUR
500+2.12 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 233
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BSC016N06NSTATMA1
Produktcode: 170205
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC016N06NSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Gate-source voltage: 20V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 4125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.2 EUR
10+4.06 EUR
100+2.85 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC017N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC018N04LS G
Produktcode: 214672
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC018N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.03 EUR
10+1.61 EUR
100+1.13 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.83 EUR
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BSC018N04LSGInfineon technologies
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.85 EUR
185+0.75 EUR
187+0.72 EUR
203+0.64 EUR
250+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 15029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+1.8 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.78 EUR
187+0.75 EUR
203+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 185
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BSC018N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+1.18 EUR
512+1.02 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 461
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC018N04LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.1 EUR
100+0.83 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSInfineonN-MOSFET 25V 29A 1.8mΩ BSC018NE2LSI, BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS Infineon TBSC018ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
auf Bestellung 5135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
11+1.61 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 48286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.07 EUR
100+0.83 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.05 EUR
82+1.71 EUR
86+1.58 EUR
100+1.3 EUR
250+1.16 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
auf Bestellung 9250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.38 EUR
10+1.94 EUR
100+1.51 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSC018NE2LSIATMA1
Produktcode: 109878
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 20088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+2.82 EUR
100+2.24 EUR
250+2.06 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.61 EUR
2500+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N02KSGInfineonN-MOSFET 20V 100A BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KSG Infineon TBSC019n02ksg
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N02KSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSInfineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+1.18 EUR
100+0.97 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
auf Bestellung 19151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
11+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+0.9 EUR
187+0.75 EUR
201+0.67 EUR
206+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.71 EUR
10000+0.66 EUR
15000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.77 EUR
201+0.69 EUR
206+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 187
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
auf Bestellung 4989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
11+1.72 EUR
25+1.56 EUR
100+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.22 EUR
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 11671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.04 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.93 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
auf Bestellung 9942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
10+1.77 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP BSC019N04NSGATMA1 TBSC019n04ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSInfineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 5934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.68 EUR
10+2.5 EUR
100+2.22 EUR
250+2.11 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.88 EUR
2500+1.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL О
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Technology: MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.86 EUR
63+2.22 EUR
100+2 EUR
200+1.91 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.47 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N06NSATMA1InfineonN-Channel 60V 100A (Ta) 136W (Ta) Surface Mount PG-TDSON-8 FL Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.48 EUR
100+3.91 EUR
500+3.24 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5054 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+5.37 EUR
100+3.84 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N025SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSINF09+
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 2098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.53 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LS GInfineon
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.44 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
auf Bestellung 13783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
12+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.28 EUR
136+1.03 EUR
137+0.98 EUR
171+0.76 EUR
250+0.72 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.07 EUR
143+0.98 EUR
171+0.78 EUR
200+0.73 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGinfineon08+
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
auf Bestellung 31111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
11+1.72 EUR
100+1.16 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 3335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.45 EUR
100+1.05 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
auf Bestellung 2752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.41 EUR
10+4.91 EUR
100+3.49 EUR
500+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC021N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N03Sinfineon06+ TDSON
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N03SInfineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N03S GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 28A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N03SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+2.04 EUR
100+1.59 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.1 EUR
2500+1.03 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LSInfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LSInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2600 @ 20, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 1,8 мОм, Ugs(th) = 1,2 В, Р, Вт = 2,5, 69, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TDSON-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 798 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.41 EUR
63+2.23 EUR
100+2.08 EUR
250+1.94 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.58 EUR
5000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 14195 Stücke:
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2+2.62 EUR
10+1.78 EUR
100+1.25 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 6990 Stücke:
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7+2.9 EUR
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100+1.25 EUR
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BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
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BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
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91+1.53 EUR
100+1.34 EUR
200+1.04 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6217 Stücke:
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BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC022N04LS6ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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141+0.99 EUR
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2000+0.66 EUR
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BSC022N04LSATMA1
Produktcode: 131683
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13626 Stücke:
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395+1.37 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 395
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BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+2.01 EUR
100+1.36 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2316 Stücke:
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175+0.83 EUR
177+0.79 EUR
187+0.72 EUR
250+0.65 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 175
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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395+1.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 395
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BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5320 Stücke:
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2+2.6 EUR
10+1.85 EUR
25+1.83 EUR
100+1.39 EUR
250+1.36 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+1.37 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 395
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BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.87 EUR
175+0.8 EUR
177+0.76 EUR
187+0.69 EUR
250+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 166
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BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC023N08NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC024N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024N025SG
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10, Rds = 2,4 @ 30, 10, Ugs(th) = 2 @ 250, Р, Вт = 48, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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BSC024NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 1537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.59 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSInfineonMOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.34 EUR
100+0.96 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+0.59 EUR
256+0.52 EUR
273+0.47 EUR
274+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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BSC024NE2LSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC024NE2LSATMA1
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
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5000+0.69 EUR
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC024NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC025N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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10+1.85 EUR
100+1.44 EUR
500+1.22 EUR
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2500+0.97 EUR
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BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
auf Bestellung 2183 Stücke:
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BSC025N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC025N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.87 EUR
10+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 578
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 233-237 Tag (e)
2+2.25 EUR
10+1.87 EUR
100+1.44 EUR
500+1.22 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC025N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.68 EUR
100+1.12 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.78 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC025N03MSGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC025N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.57 EUR
257+0.54 EUR
261+0.52 EUR
265+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 253
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BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.62 EUR
11+1.66 EUR
100+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.58 EUR
253+0.55 EUR
257+0.52 EUR
261+0.5 EUR
265+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 249
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
583+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 583
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
583+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 583
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
583+0.93 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 583
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesBSC025N08LS5
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.13 EUR
30+4.73 EUR
50+4.39 EUR
100+4.07 EUR
250+3.79 EUR
500+3.54 EUR
1000+3.3 EUR
2500+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+2.96 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 385000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.12 EUR
10+3.55 EUR
25+3.35 EUR
100+3.08 EUR
250+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.07 EUR
10+3.33 EUR
100+2.9 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.57 EUR
2500+2.45 EUR
5000+2.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.26 EUR
34+4.2 EUR
50+3.67 EUR
100+3.08 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.25 EUR
2000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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BSC025N08LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
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BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC026N02KS GInfineon
auf Bestellung 95000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC026N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 4897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.8 EUR
10+2.32 EUR
100+1.85 EUR
250+1.38 EUR
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC026N02KSGinfineon08+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC026N02KSGInfineon TechnologiesDescription: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
auf Bestellung 27190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 363
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BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC026N02KSGAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC026N02KSGAUMA1 - BSC026N02 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
auf Bestellung 26892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
363+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 363
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BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.77 EUR
190+0.73 EUR
193+0.7 EUR
196+0.66 EUR
250+0.62 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 187
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BSC026N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.38 EUR
10+1.97 EUR
100+1.52 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC026N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+1.76 EUR
100+1.62 EUR
250+1.5 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.29 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 83
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BSC026N04LSInfineonMOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC026N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.05 EUR
155+0.9 EUR
157+0.86 EUR
173+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
auf Bestellung 7950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 8599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.81 EUR
100+0.7 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 3082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
auf Bestellung 8335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+0.96 EUR
152+0.92 EUR
165+0.82 EUR
250+0.78 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5Infineon
auf Bestellung 14128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.36 EUR
50+4.04 EUR
100+3.76 EUR
250+3.51 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.06 EUR
2500+2.86 EUR
5000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 14382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.2 EUR
10+4.06 EUR
100+2.85 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.23 EUR
39+3.6 EUR
40+3.41 EUR
100+2.46 EUR
250+2.34 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.28 EUR
50+4.08 EUR
100+2.93 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.04 EUR
2000+1.82 EUR
5000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
auf Bestellung 7775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.52 EUR
100+2.69 EUR
500+2.48 EUR
2500+2.32 EUR
5000+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.63 EUR
39+3.44 EUR
100+2.4 EUR
250+2.27 EUR
500+1.79 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
auf Bestellung 16375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.55 EUR
11+1.62 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.09 EUR
135+1.03 EUR
158+0.85 EUR
250+0.8 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.53 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.26 EUR
131+1.07 EUR
132+1.02 EUR
162+0.8 EUR
250+0.74 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
auf Bestellung 5765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.97 EUR
10+1.61 EUR
100+1.18 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.64 EUR
10000+0.6 EUR
15000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.25 EUR
118+1.19 EUR
137+0.98 EUR
200+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N03SG
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+1.43 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGInfineonTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP BSC027N04LSG TBSC027n04lsg
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSG(XT)
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 24174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
12+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.18 EUR
67+2.02 EUR
100+1.56 EUR
250+1.47 EUR
500+1.23 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.59 EUR
10000+0.55 EUR
15000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.55 EUR
64+2.1 EUR
67+1.94 EUR
100+1.5 EUR
250+1.41 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 25015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.21 EUR
100+0.92 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
auf Bestellung 72752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2.01 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.1 EUR
10+2.76 EUR
100+1.9 EUR
500+1.56 EUR
2500+1.54 EUR
5000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.28 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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22+6.68 EUR
25+6.16 EUR
50+5.71 EUR
100+5.3 EUR
250+4.93 EUR
500+4.6 EUR
1000+4.29 EUR
2500+4.2 EUR
5000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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BSC027N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
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BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 16108 Stücke:
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BSC027N10NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
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5000+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.57 EUR
28+5.12 EUR
50+3.92 EUR
100+3.66 EUR
500+3.5 EUR
1000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.52 EUR
10+5.67 EUR
100+4.06 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 13188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 8044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.5 EUR
10+5.35 EUR
100+3.84 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.64 EUR
2500+3.63 EUR
5000+3.24 EUR
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BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 35376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.89 EUR
10+3.17 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.66 EUR
2500+1.59 EUR
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BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4 EUR
50+3.71 EUR
100+3.45 EUR
250+3.22 EUR
500+3 EUR
1000+2.81 EUR
2500+2.63 EUR
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC028N06LS3GInfineonTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 16179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од.
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.23 EUR
54+2.61 EUR
100+2.38 EUR
200+2.27 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.67 EUR
5000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 17559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.41 EUR
100+2.36 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.12 EUR
42+3.32 EUR
45+3.02 EUR
100+2.45 EUR
250+2.29 EUR
500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.12 EUR
42+3.32 EUR
45+3.02 EUR
100+2.45 EUR
250+2.29 EUR
500+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSInfineon
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.15 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 29537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.61 EUR
10+3.67 EUR
100+2.55 EUR
500+2.08 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.2 EUR
30+2.4 EUR
50+1.73 EUR
100+1.52 EUR
250+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.78 EUR
87+1.62 EUR
109+1.24 EUR
200+1.13 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 12717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.35 EUR
10+3.22 EUR
100+2.36 EUR
500+2.02 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.94 EUR
5000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 14210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.91 EUR
10+3.2 EUR
100+2.22 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 6151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+3.06 EUR
100+2.24 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.94 EUR
2000+1.92 EUR
4000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+2.98 EUR
58+2.41 EUR
100+1.93 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.54 EUR
50+3.29 EUR
100+3.06 EUR
250+2.85 EUR
500+2.66 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.33 EUR
5000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.2 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.69 EUR
10000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 17462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.73 EUR
10+3.06 EUR
100+2.12 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.98 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.38 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.07 EUR
79+1.77 EUR
80+1.69 EUR
100+1.43 EUR
250+1.36 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.2 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.35 EUR
10000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.2 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 246
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.07 EUR
79+1.77 EUR
80+1.69 EUR
100+1.43 EUR
250+1.36 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC029N025SGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
auf Bestellung 8868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
402+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC029N025SGinfineon08+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+2.32 EUR
100+1.85 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.85 EUR
85+1.64 EUR
86+1.57 EUR
100+1.32 EUR
250+1.24 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
auf Bestellung 7100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.54 EUR
10+2.94 EUR
100+2.03 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.51 EUR
2000+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
auf Bestellung 4908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.8 EUR
10+2.46 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.02 EUR
10+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGinfineon08+
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
25000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.23 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 19542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.02 EUR
14+1.28 EUR
100+0.85 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.71 EUR
227+0.61 EUR
229+0.59 EUR
253+0.51 EUR
255+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 204
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.5 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSЎЎG
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.46 EUR
100+0.95 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.66 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MS GInfineonQFN
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSG
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 9818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
14+1.29 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 9930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.2 EUR
100+0.85 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.59 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.67 EUR
218+0.62 EUR
500+0.59 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 217
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.5 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSInfineonMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.27 EUR
100+0.88 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 5000
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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237+0.61 EUR
254+0.55 EUR
268+0.5 EUR
279+0.46 EUR
280+0.44 EUR
500+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 237
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BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3361 Stücke:
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114+0.63 EUR
122+0.59 EUR
129+0.56 EUR
143+0.5 EUR
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500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 114
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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255+0.57 EUR
270+0.52 EUR
281+0.48 EUR
284+0.46 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 255
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
auf Bestellung 4421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4409 Stücke:
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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238+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 238
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BSC030N04NSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC030N08NS5Infineon technologies
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BSC030N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.33 EUR
10000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC030N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 38254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.56 EUR
59+2.39 EUR
60+2.26 EUR
64+2.05 EUR
115+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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BSC030N08NS5ATMA1InfineonТранзистор, N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 139Вт, PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.34 EUR
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
auf Bestellung 12856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.68 EUR
10+3.03 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSC030N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 38254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N10NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3 GInfineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GInfineonP-MOSFET 30V 100A BSC030P03NS3G Infineon TBSC030p03ns3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.03 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.66 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: 18
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 60 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3 G
Produktcode: 142919
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
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278+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.75 EUR
33+2.23 EUR
37+1.94 EUR
45+1.62 EUR
51+1.42 EUR
100+1.24 EUR
250+1.1 EUR
500+1 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.31 EUR
121+1.16 EUR
122+1.11 EUR
134+0.97 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.2 EUR
122+1.15 EUR
134+1 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 16636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.12 EUR
69+2.05 EUR
100+1.76 EUR
500+1.42 EUR
2000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 14308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.83 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.47 EUR
2500+1.42 EUR
5000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.64 EUR
100+1.94 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.62 EUR
5000+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 8318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.98 EUR
10+3.23 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SINF09+
auf Bestellung 18503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03S GINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N03SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.13 EUR
10+1.34 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 4988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.63 EUR
100+1.5 EUR
250+1.39 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LS
Produktcode: 196253
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.83 EUR
118+1.19 EUR
200+0.97 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
60+1.2 EUR
69+1.04 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1InfineonТранзистор, N-MOSFET, полевой, 40В, 83А, 52Вт, PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 7825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.24 EUR
13+1.42 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 17778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSInfineon technologies
auf Bestellung 4957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3469 Stücke:
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BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
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116+1.25 EUR
125+1.12 EUR
148+0.91 EUR
250+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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BSC032NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 37W
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
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104+1.39 EUR
116+1.21 EUR
125+1.08 EUR
148+0.87 EUR
250+0.79 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 104
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BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.57 EUR
100+0.52 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 9134 Stücke:
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2+1.97 EUR
10+0.82 EUR
100+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC033N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC033N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 144 A, 3300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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1+5.67 EUR
10+3.92 EUR
100+2.83 EUR
250+2.82 EUR
500+2.34 EUR
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BSC033N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC033N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 144 A, 3300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC034N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 7501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.27 EUR
100+0.89 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
12+1.55 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+0.91 EUR
192+0.73 EUR
193+0.7 EUR
228+0.57 EUR
250+0.54 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+0.58 EUR
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.75 EUR
193+0.72 EUR
228+0.59 EUR
250+0.56 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.73 EUR
100+1.87 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSInfineon
auf Bestellung 215000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.34 EUR
100+2.15 EUR
250+1.99 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.59 EUR
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 23703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.37 EUR
109+1.28 EUR
119+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
auf Bestellung 3117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.03 EUR
10+2.59 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 3698 Stücke:
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111+1.31 EUR
117+1.19 EUR
118+1.14 EUR
126+1.02 EUR
250+0.97 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.78 EUR
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BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
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5000+0.99 EUR
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BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
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1+4.07 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.34 EUR
2500+1.31 EUR
5000+1.25 EUR
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BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 3698 Stücke:
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111+1.31 EUR
117+1.19 EUR
118+1.14 EUR
126+1.02 EUR
250+0.97 EUR
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BSC034N10LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
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BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
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BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 3019 Stücke:
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1+3.78 EUR
10+3.08 EUR
100+2.69 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.38 EUR
2500+2.24 EUR
5000+2.13 EUR
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BSC034N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
auf Bestellung 15647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.73 EUR
10+3.23 EUR
25+3.05 EUR
100+2.8 EUR
250+2.65 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSC034N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18628 Stücke:
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BSC034N10LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC034N10LS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC035N04LS GINFINEON08+ SOP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC035N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.59 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC035N04LSGinfineon08+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSC035N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 168
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BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.56 EUR
10000+0.52 EUR
15000+0.5 EUR
25000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
10+1.62 EUR
100+1.2 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC035N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 22288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.6 EUR
100+1.4 EUR
123+1.1 EUR
200+0.99 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.72 EUR
5000+0.7 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
auf Bestellung 44646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.27 EUR
13+1.43 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.15 EUR
25000+1.89 EUR
50000+1.7 EUR
75000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.23 EUR
31+4.41 EUR
100+3.71 EUR
250+3.53 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.89 EUR
3000+2.87 EUR
6000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.23 EUR
31+4.41 EUR
100+3.71 EUR
250+3.53 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.89 EUR
3000+2.87 EUR
6000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC035N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 100VPower transistor OptiMOS 5
auf Bestellung 5968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+3.29 EUR
100+2.34 EUR
500+2.02 EUR
5000+1.9 EUR
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BSC035N10NS5ATMA1
Produktcode: 192220
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BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+3.25 EUR
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BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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20+7.33 EUR
31+4.51 EUR
50+3.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.41 EUR
2000+2.24 EUR
5000+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
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4+5.07 EUR
10+3.31 EUR
100+2.3 EUR
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BSC036NE7NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TDSON-8
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1+4.8 EUR
10+3.12 EUR
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1000+1.66 EUR
2500+1.56 EUR
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BSC036NE7NS3 GInfineon
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BSC036NE7NS3 GInfineonMOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
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BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC036NE7NS3GATMA1
Produktcode: 185447
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BSC036NE7NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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71+2.05 EUR
83+1.68 EUR
84+1.61 EUR
113+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 71
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BSC036NE7NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC036NE7NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC036NE7NS3GATMA1InfineonN-Channel 75V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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