Produkte > BSC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSC 100 | AISMALIBAR | Description: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM Packaging: Bulk Color: White Material: Non-Silicone, Ceramic Filled Shape: Rectangular Thickness: 0.0039" (0.100mm) Type: Gap Filler Sheet Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer Outline: 250.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 2.0W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC 100 1GF50 | AISMALIBAR | Description: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM Packaging: Bulk Color: White Material: Non-Silicone, Ceramic Filled Shape: Rectangular Thickness: 0.0059" (0.151mm) Type: Gap Filler Sheet Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer Outline: 250.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 2.0W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC 100 1TT50 | AISMALIBAR | Description: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM Packaging: Bulk Color: White Material: Non-Silicone, Ceramic Filled Shape: Rectangular Thickness: 0.0059" (0.151mm) Type: Gap Filler Sheet Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer Outline: 250.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Adhesive: Tacky - One Side Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC 100 1TT50 1GF50 | AISMALIBAR | Description: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM Packaging: Bulk Color: White Material: Non-Silicone, Ceramic Filled Shape: Rectangular Thickness: 0.0079" (0.200mm) Type: Gap Filler Sheet Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer Outline: 250.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 2.0W/m-K Adhesive: Tacky - One Side Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC 100 2GF50 | AISMALIBAR | Description: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM Packaging: Bulk Color: White Material: Non-Silicone, Ceramic Filled Shape: Rectangular Thickness: 0.0079" (0.200mm) Type: Gap Filler Sheet Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer Outline: 250.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 2.0W/m-K Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC 100 2TT50 | AISMALIBAR | Description: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM Packaging: Bulk Color: White Material: Non-Silicone, Ceramic Filled Shape: Rectangular Thickness: 0.0079" (0.200mm) Type: Gap Filler Sheet Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer Outline: 250.00mm x 300.00mm Thermal Conductivity: 1.5W/m-K Adhesive: Tacky - Both Sides Backing, Carrier: Fiberglass Part Status: Active | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC 100 HTG | AISMALIBAR | Description: THERMAL INTERFACE 249MM X 239MM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC 3115 900KV | Аксессуари до вимикачів силових автоматичних компактних | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC 3115 900KV | Вимикачі автоматичні низьковольтні | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC-SS-105L | --- | (5 VDC) Реле електромеханічні та геркони | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC-SS-106L | Тип контактів, 1C, Uкотушки: 6В, Iкомутації: 2А / 125VAC Реле електромеханічні та геркони | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC-SS-109L | Тип контактов: 1C; Uкатушки: 9В; Iкомм: 2А/125VAC Реле електромеханічні та геркони | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC-SS-148L Produktcode: 89390
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| KLS | Relais Relaistyp: Relais Beschreibung: Tip Kontakte: 1C; USpule: 48V; I-Schalt: 2A/125VAC Abmessungen: 12,6x10x7,5 mm | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSC/0/100 | TREND | Description: TREND - BSC/0/100 - BISCUIT NO 0, (PK 100) tariffCode: 44219999 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Außenlänge: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC/10/100 | TREND | Description: TREND - BSC/10/100 - BISCUIT NO 10 (PK 100) tariffCode: 44219999 productTraceability: No rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC/20/100 | TREND | Description: TREND - BSC/20/100 - BISCUIT NO 20, (PK 100) tariffCode: 44219999 productTraceability: No rohsCompliant: TBA Außenlänge: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC/MIX/100 | TREND | Description: TREND - BSC/MIX/100 - BISCUIT MIXED 0/10/20 (PK 100) tariffCode: 44219999 productTraceability: No rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC004NE2LS5 | Infineon | BSC004NE2LS5ATMA1 N-Channel 25 V 40A (Ta), 479A (Tc) 2.5W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC004NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC004NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 15V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC004NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 479A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC004NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC004NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC004NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 479A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 4537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC004NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC005N03LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 480 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC005N03LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC005N03LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 480 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC005N03LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC005N03LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V | auf Bestellung 2763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC005N03LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 15V-30V | auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC005N03LS5IATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 510 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 510µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC005N03LS5IATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC005N03LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC005N03LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 15V-30V | auf Bestellung 7695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC005N03LS5IATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 510 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC005N03LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC005N03LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V | auf Bestellung 4586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 188W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 8813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon | BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm | auf Bestellung 2708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 188W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 8813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm | auf Bestellung 2708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.7mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 138W Gate charge: 94nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 6 Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Kind of package: reel; tape Case: PG-TDSON-8 FL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6ATMA1 Produktcode: 161378
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 4482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6SCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC007N04LS6SCATMA1 Transistor Produktcode: 208581
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSC007N04LS6SCATMA2 | Infineon Technologies | BSC007N04LS6SCATMA2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA2 | Infineon Technologies | IFX FET 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA2 | Infineon Technologies | Description: BSC007N04LS6SCATMA2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009N04LSSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009N04LSSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 301A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009N04LSSCATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009N04LSSCATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009N04LSSCATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009N04LSSCATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 301A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009N04LSSCATMA2 | Infineon Technologies | IFX FET 40V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009NE2LS Produktcode: 160463
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| IC > IC Operationsverstärker | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC009NE2LS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | auf Bestellung 4929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS | Infineon | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 15V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V | auf Bestellung 13381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 12183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 169 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon | N-Channel 25V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 Produktcode: 173879
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 6 St.
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LV POWER MOS | auf Bestellung 10643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 12183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 11891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5I | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 15V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5I | Infineon Technologies | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5IATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,... Транзистори Корпус Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | verfügbar 1978 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5IATMA1 Produktcode: 195332
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V | auf Bestellung 11567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 74W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm | auf Bestellung 2106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
