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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
BSC 100AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0039" (0.100mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+78.94 EUR
4+ 74.98 EUR
8+ 71.03 EUR
24+ 67.11 EUR
100+ 55.25 EUR
BSC 100 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+93.44 EUR
4+ 88.76 EUR
8+ 84.11 EUR
24+ 79.43 EUR
100+ 65.42 EUR
BSC 100 1TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+136.97 EUR
4+ 130.13 EUR
8+ 123.29 EUR
24+ 116.43 EUR
100+ 95.89 EUR
BSC 100 1TT50 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+151.5 EUR
4+ 143.91 EUR
8+ 136.34 EUR
24+ 128.78 EUR
100+ 106.05 EUR
BSC 100 2GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+107.95 EUR
4+ 102.57 EUR
8+ 97.16 EUR
24+ 91.75 EUR
100+ 75.58 EUR
BSC 100 2TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+195.03 EUR
4+ 185.28 EUR
8+ 175.53 EUR
24+ 165.78 EUR
100+ 136.53 EUR
BSC 100 HTGAISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 249MM X 239MM
Produkt ist nicht verfügbar
BSC-SS-148L
Produktcode: 89390		KLSRelais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: 1C; U-Spule: 48V; I-komm: 2А/125VAC
Abmessungen: 12,6x10x7,5mm
Produkt ist nicht verfügbar
BSC/0/100TRENDDescription: TREND - BSC/0/100 - BISCUIT NO 0, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC/10/100TRENDDescription: TREND - BSC/10/100 - BISCUIT NO 10 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC/20/100TRENDDescription: TREND - BSC/20/100 - BISCUIT NO 20, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC/MIX/100TRENDDescription: TREND - BSC/MIX/100 - BISCUIT MIXED 0/10/20 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.11 EUR
10+ 5.07 EUR
100+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 45168 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.14 EUR
11+ 5.04 EUR
100+ 4.08 EUR
250+ 4.06 EUR
500+ 3.46 EUR
1000+ 2.78 EUR
5000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
auf Bestellung 7378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesSP004819078
Produkt ist nicht verfügbar
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 13143 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.02 EUR
12+ 4.5 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.95 EUR
500+ 3.43 EUR
1000+ 2.78 EUR
5000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
auf Bestellung 7378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
auf Bestellung 6044 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.11 EUR
10+ 5.07 EUR
100+ 4.03 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 2.9 EUR
2000+ 2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 13980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.29 EUR
10+ 5.2 EUR
100+ 4.16 EUR
250+ 4.13 EUR
500+ 3.54 EUR
1000+ 2.86 EUR
5000+ 2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 510µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00051ohm
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00051ohm
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesSP004819084
Produkt ist nicht verfügbar
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
auf Bestellung 4413 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.24 EUR
10+ 5.18 EUR
100+ 4.12 EUR
500+ 3.49 EUR
1000+ 2.96 EUR
2000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 8349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.77 EUR
10+ 6.54 EUR
100+ 5.29 EUR
500+ 4.7 EUR
1000+ 4.03 EUR
2000+ 3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 110497 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.77 EUR
10+ 6.55 EUR
25+ 6.29 EUR
100+ 5.28 EUR
250+ 4.76 EUR
500+ 4.29 EUR
1000+ 3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 94nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhanced
Case: PG-TDSON-8 FL
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BSC007N04LS6ATMA1
Produktcode: 161378		Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 94nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhanced
Case: PG-TDSON-8 FL
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3059 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.81 EUR
10+ 7.41 EUR
25+ 6.99 EUR
100+ 6.01 EUR
250+ 5.67 EUR
500+ 5.33 EUR
1000+ 4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.74 EUR
10+ 7.34 EUR
100+ 5.94 EUR
500+ 5.28 EUR
1000+ 4.52 EUR
2000+ 4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
auf Bestellung 4351 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.84 EUR
10+ 5.75 EUR
100+ 4.65 EUR
500+ 4.13 EUR
1000+ 3.54 EUR
2000+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3997 Stücke:
Lieferzeit 237-251 Tag (e)
8+6.92 EUR
10+ 5.8 EUR
25+ 5.49 EUR
100+ 4.68 EUR
250+ 4.42 EUR
500+ 4.19 EUR
1000+ 3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSC009NE2LS
Produktcode: 160463		IC > IC Operationsverstärker
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BSC009NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 7809 Stücke:
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22+2.37 EUR
5000+ 2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSC009NE2LSInfineon
auf Bestellung 35000 Stücke:
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BSC009NE2LS5ATMA1
Produktcode: 173879		Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LV POWER MOS
auf Bestellung 14966 Stücke:
Lieferzeit 995-1009 Tag (e)
11+5.1 EUR
13+ 4.13 EUR
100+ 3.38 EUR
250+ 3.3 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.3 EUR
5000+ 2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.53 EUR
50+ 3.07 EUR
54+ 2.7 EUR
100+ 2.1 EUR
200+ 1.9 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.54 EUR
2000+ 1.44 EUR
5000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 74W
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 74W
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.07 EUR
10+ 4.2 EUR
100+ 3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.62 EUR
66+ 2.29 EUR
67+ 2.19 EUR
100+ 1.85 EUR
250+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 60
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 19268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+3.26 EUR
10+ 2.81 EUR
100+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.62 EUR
66+ 2.29 EUR
67+ 2.19 EUR
100+ 1.85 EUR
250+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 60
BSC009NE2LS5IATMA1
Produktcode: 195332		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LV POWER MOS
auf Bestellung 14095 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.88 EUR
11+ 4.81 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.8 EUR
500+ 3.35 EUR
1000+ 2.73 EUR
5000+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.53 EUR
50+ 3.07 EUR
55+ 2.68 EUR
100+ 2.1 EUR
200+ 1.9 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.54 EUR
2000+ 1.44 EUR
5000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 24
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
auf Bestellung 6264 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.98 EUR
10+ 4.96 EUR
100+ 3.95 EUR
500+ 3.34 EUR
1000+ 2.83 EUR
2000+ 2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 19418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
auf Bestellung 48976 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.73 EUR
10+ 3.93 EUR
100+ 3.13 EUR
500+ 2.65 EUR
1000+ 2.25 EUR
2000+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 34032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 8158 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.81 EUR
14+ 3.77 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 3.09 EUR
500+ 2.7 EUR
1000+ 2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.05 EUR
10000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 34032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC009NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 35913 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.2 EUR
13+ 4.32 EUR
100+ 3.43 EUR
250+ 3.17 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.47 EUR
2500+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC010N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 4899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 5163 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.69 EUR
12+ 4.55 EUR
100+ 3.77 EUR
250+ 3.48 EUR
500+ 3.17 EUR
1000+ 2.59 EUR
2500+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LS6ATMA1
Produktcode: 192753		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 10210 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.69 EUR
10+ 4.72 EUR
100+ 3.76 EUR
500+ 3.18 EUR
1000+ 2.7 EUR
2000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 13858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.47 EUR
10000+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 13858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.65 EUR
51+ 2.96 EUR
100+ 2.68 EUR
500+ 2.33 EUR
1000+ 2.1 EUR
2000+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 43
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.23 EUR
10000+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 79483 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.17 EUR
13+ 4.32 EUR
100+ 3.41 EUR
250+ 3.15 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.44 EUR
2500+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 26785 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.17 EUR
10+ 4.28 EUR
100+ 3.4 EUR
500+ 2.88 EUR
1000+ 2.44 EUR
2000+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 379-393 Tag (e)
8+7.25 EUR
10+ 6.14 EUR
100+ 5.04 EUR
500+ 4.55 EUR
1000+ 4.16 EUR
5000+ 4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 372-386 Tag (e)
7+8.22 EUR
10+ 7.38 EUR
100+ 6.06 EUR
500+ 5.15 EUR
1000+ 4.34 EUR
2500+ 4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 8511 Stücke:
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7+8.11 EUR
10+ 6.86 EUR
25+ 6.68 EUR
100+ 5.56 EUR
250+ 5.23 EUR
500+ 4.94 EUR
1000+ 3.98 EUR
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BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
auf Bestellung 9178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.11 EUR
10+ 6.81 EUR
100+ 5.51 EUR
500+ 4.89 EUR
1000+ 4.19 EUR
2000+ 3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
auf Bestellung 3626 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.47 EUR
10+ 5.44 EUR
100+ 4.4 EUR
500+ 3.91 EUR
1000+ 3.35 EUR
2000+ 3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2461 Stücke:
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8+6.86 EUR
10+ 5.93 EUR
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500+ 4.32 EUR
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5000+ 3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
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BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
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BSC010NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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14+3.87 EUR
16+ 3.38 EUR
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250+ 3.07 EUR
500+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
auf Bestellung 19024 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.95 EUR
10+ 3.29 EUR
100+ 2.62 EUR
500+ 2.22 EUR
1000+ 1.88 EUR
2000+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 37465 Stücke:
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16+3.41 EUR
19+ 2.81 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.33 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010NE2LSATMA1InfineonN-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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20+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.72 EUR
10000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010NE2LSIInfineon
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC010NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 1653 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.88 EUR
10+ 5.28 EUR
100+ 4.26 EUR
500+ 3.48 EUR
1000+ 2.91 EUR
2500+ 2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 31004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
auf Bestellung 18766 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.86 EUR
10+ 4.04 EUR
100+ 3.21 EUR
500+ 2.72 EUR
1000+ 2.31 EUR
2000+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 8877 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.86 EUR
13+ 4.08 EUR
100+ 3.25 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.19 EUR
2500+ 2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 31004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 39508 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.34 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 2.89 EUR
250+ 2.65 EUR
500+ 2.42 EUR
1000+ 2.1 EUR
10000+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSC011N03LSInfineon technologies
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC011N03LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.19 EUR
100+ 2.02 EUR
250+ 1.86 EUR
500+ 1.73 EUR
1000+ 1.61 EUR
2500+ 1.49 EUR
5000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 72
BSC011N03LS E8186Infineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.07 EUR
10000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.25 EUR
127+ 1.19 EUR
141+ 1.03 EUR
250+ 0.98 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 126
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 53416 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.83 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 2.03 EUR
500+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.36 EUR
126+ 1.21 EUR
127+ 1.15 EUR
141+ 0.99 EUR
250+ 0.94 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 115
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1480000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
auf Bestellung 41540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.04 EUR
11+ 2.54 EUR
100+ 2.02 EUR
500+ 1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.49 EUR
109+ 1.39 EUR
118+ 1.24 EUR
200+ 1.15 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 1.01 EUR
2000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 105
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.06 EUR
10000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC011N03LSIInfineon technologies
auf Bestellung 3 Stücke:
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BSC011N03LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 12252 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.13 EUR
15+ 3.48 EUR
100+ 2.83 EUR
250+ 2.78 EUR
500+ 2.44 EUR
1000+ 2.02 EUR
2500+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.15 EUR
78+ 1.94 EUR
100+ 1.64 EUR
200+ 1.5 EUR
500+ 1.44 EUR
1000+ 1.27 EUR
5000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 73
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.94 EUR
10000+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.73 EUR
99+ 1.53 EUR
102+ 1.42 EUR
111+ 1.26 EUR
250+ 1.2 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 91
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.73 EUR
99+ 1.53 EUR
102+ 1.42 EUR
111+ 1.26 EUR
250+ 1.2 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 91
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 59330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.47 EUR
10+ 3.71 EUR
100+ 2.95 EUR
500+ 2.5 EUR
1000+ 2.12 EUR
2000+ 2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 4877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.46 EUR
54+ 2.81 EUR
100+ 2.54 EUR
200+ 2.42 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.91 EUR
2000+ 1.78 EUR
5000+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 4877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4598 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.6 EUR
10+ 5.38 EUR
100+ 4.37 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 2.96 EUR
5000+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.55 EUR
10+ 5.44 EUR
100+ 4.33 EUR
500+ 3.66 EUR
1000+ 3.11 EUR
2000+ 2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.8 EUR
10+ 6.54 EUR
100+ 5.29 EUR
500+ 4.7 EUR
1000+ 4.03 EUR
2000+ 3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 13964 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.85 EUR
10+ 6.6 EUR
25+ 6.4 EUR
100+ 5.36 EUR
250+ 5.2 EUR
500+ 4.73 EUR
1000+ 4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.64 EUR
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BSC014N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC014N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3541 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSC014N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
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BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03MS GINFINEONQFN
auf Bestellung 50 Stücke:
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
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BSC014N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 4993 Stücke:
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BSC014N04LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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13+4.16 EUR
16+ 3.46 EUR
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250+ 2.54 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 2.05 EUR
5000+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC014N04LSInfineon
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BSC014N04LS
Produktcode: 148887		Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.23 EUR
53+ 2.88 EUR
100+ 2.31 EUR
200+ 2.12 EUR
500+ 1.84 EUR
1000+ 1.48 EUR
2000+ 1.37 EUR
5000+ 1.29 EUR
10000+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 49
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
auf Bestellung 4874 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.13 EUR
10+ 3.42 EUR
100+ 2.72 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 1.96 EUR
2000+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.16 EUR
16+ 3.46 EUR
100+ 2.76 EUR
250+ 2.68 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.93 EUR
10+ 1.66 EUR
100+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.42 EUR
50+ 4.1 EUR
100+ 3.81 EUR
250+ 3.55 EUR
500+ 3.32 EUR
1000+ 3.1 EUR
2500+ 2.9 EUR
5000+ 2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BSC014N04LSI
Produktcode: 196252		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 30520 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.15 EUR
10+ 6.03 EUR
25+ 5.69 EUR
100+ 4.86 EUR
250+ 4.6 EUR
500+ 4.32 EUR
1000+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 39700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 100544 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.1 EUR
10+ 5.95 EUR
25+ 5.9 EUR
100+ 4.78 EUR
250+ 4.73 EUR
500+ 4.21 EUR
1000+ 3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.18 EUR
77+ 1.89 EUR
78+ 1.81 EUR
100+ 1.59 EUR
250+ 1.51 EUR
500+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 72
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.51 EUR
42+ 3.62 EUR
43+ 3.42 EUR
100+ 2.67 EUR
250+ 2.5 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 35
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.19 EUR
77+ 1.89 EUR
78+ 1.81 EUR
100+ 1.59 EUR
250+ 1.51 EUR
500+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 72
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 39700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 72091 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.1 EUR
10+ 5.96 EUR
100+ 4.82 EUR
500+ 4.29 EUR
1000+ 3.67 EUR
2000+ 3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.51 EUR
42+ 3.62 EUR
43+ 3.42 EUR
100+ 2.67 EUR
250+ 2.5 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 35
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.56 EUR
64+ 2.35 EUR
Mindestbestellmenge: 62
BSC014N04LSTInfineon TechnologiesDescription: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSTATMA1
Produktcode: 198659		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.37 EUR
10+ 3.63 EUR
100+ 2.89 EUR
500+ 2.45 EUR
1000+ 2.08 EUR
2000+ 1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+3.67 EUR
50+ 3.27 EUR
100+ 2.63 EUR
200+ 2.4 EUR
500+ 2.1 EUR
1000+ 1.67 EUR
2000+ 1.56 EUR
5000+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 43
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 14593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.78 EUR
68+ 2.24 EUR
71+ 2.07 EUR
100+ 1.66 EUR
250+ 1.54 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1 EUR
3000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 57
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.21 EUR
15+ 3.54 EUR
100+ 2.86 EUR
500+ 2.42 EUR
1000+ 1.97 EUR
2500+ 1.94 EUR
5000+ 1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.78 EUR
68+ 2.24 EUR
71+ 2.07 EUR
100+ 1.66 EUR
250+ 1.54 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1 EUR
3000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 57
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
auf Bestellung 14593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSInfineon technologies
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC014N06NSInfineon
auf Bestellung 365000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC014N06NS
Produktcode: 144121		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 19743 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.99 EUR
10+ 5.88 EUR
25+ 5.54 EUR
100+ 4.73 EUR
250+ 4.47 EUR
500+ 4.21 EUR
1000+ 3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30; Qg, нКл = 89 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 156; PG-TDSON-8
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+5.61 EUR
10+ 4.83 EUR
100+ 4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 14490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.97 EUR
10+ 5.84 EUR
100+ 4.72 EUR
500+ 4.2 EUR
1000+ 3.6 EUR
2000+ 3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.78 EUR
50+ 3.73 EUR
100+ 3.37 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.56 EUR
2000+ 2.39 EUR
5000+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 33
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 4388 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.02 EUR
10+ 5.9 EUR
25+ 5.69 EUR
100+ 4.76 EUR
250+ 4.63 EUR
500+ 4.24 EUR
1000+ 3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 14490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSE8230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.5 EUR
10+ 7.15 EUR
25+ 6.68 EUR
100+ 5.77 EUR
250+ 5.56 EUR
500+ 5.15 EUR
1000+ 4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0012 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
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BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0012 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.58 EUR
50+ 3.59 EUR
100+ 3.24 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.46 EUR
2000+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 35
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.43 EUR
40+ 3.63 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.87 EUR
500+ 2.43 EUR
1000+ 2.21 EUR
3000+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.61 EUR
10+ 7.23 EUR
25+ 7.12 EUR
100+ 5.85 EUR
500+ 5.2 EUR
1000+ 4.21 EUR
2500+ 4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.43 EUR
40+ 3.63 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.87 EUR
500+ 2.43 EUR
1000+ 2.21 EUR
3000+ 2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
auf Bestellung 9505 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+8.55 EUR
10+ 7.17 EUR
100+ 5.8 EUR
500+ 5.15 EUR
1000+ 4.41 EUR
2000+ 4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC014NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 9977 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.75 EUR
2500+ 1.65 EUR
5000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC014NE2LSIInfineon technologies
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
auf Bestellung 19047 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.9 EUR
10+ 3.2 EUR
100+ 2.49 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.72 EUR
2000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.54 EUR
10000+ 1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 8987 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
18+ 3.02 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.65 EUR
2500+ 1.64 EUR
5000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC014NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5113 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.75 EUR
2500+ 1.65 EUR
5000+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 12712 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
16+ 3.41 EUR
100+ 2.76 EUR
500+ 2.32 EUR
1000+ 1.84 EUR
2500+ 1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.58 EUR
68+ 2.23 EUR
69+ 2.12 EUR
100+ 1.62 EUR
250+ 1.54 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 61
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 22746 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.93 EUR
10+ 3.27 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.2 EUR
1000+ 1.87 EUR
2000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.71 EUR
10000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3197 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4 EUR
16+ 3.33 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.23 EUR
1000+ 1.91 EUR
2500+ 1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC016N03LS GInfineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC016N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.87 EUR
16+ 3.25 EUR
100+ 2.6 EUR
250+ 2.54 EUR
500+ 2.19 EUR
1000+ 1.81 EUR
2500+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 4869 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.98 EUR
10+ 3.31 EUR
100+ 2.63 EUR
500+ 2.23 EUR
1000+ 1.89 EUR
2000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.48 EUR
100+ 1.91 EUR
250+ 1.82 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.12 EUR
3000+ 0.99 EUR
6000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 61
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 13590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.9 EUR
61+ 2.38 EUR
100+ 1.84 EUR
250+ 1.74 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.07 EUR
3000+ 0.99 EUR
6000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 54
BSC016N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.44 EUR
250+ 2.28 EUR
500+ 2.04 EUR
1000+ 1.64 EUR
2500+ 1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC016N03MSGInfineon
auf Bestellung 7713 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC016N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 14880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.67 EUR
10+ 3.05 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 2.05 EUR
1000+ 1.74 EUR
2000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.59 EUR
10000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N04LSInfineon TechnologiesMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.4 EUR
10+ 5.33 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 3.93 EUR
500+ 3.56 EUR
1000+ 3.28 EUR
5000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC016N04LS GInfineon
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC016N04LSGInfineon technologies
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC016N04LSGATMA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N04LSGATMA1 BSC016N04LS G TBSC016n04ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.75 EUR
10+ 6.06 EUR
100+ 5.62 EUR
250+ 5.12 EUR
500+ 4.63 EUR
1000+ 3.51 EUR
2500+ 3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
auf Bestellung 5630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NS
Produktcode: 165006		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC016N06NSInfineon
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC016N06NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 12870 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.11 EUR
11+ 5.1 EUR
100+ 4.06 EUR
250+ 3.74 EUR
500+ 3.41 EUR
1000+ 2.94 EUR
5000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.11 EUR
11+ 5.1 EUR
100+ 4.06 EUR
500+ 3.43 EUR
1000+ 2.78 EUR
5000+ 2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
auf Bestellung 53611 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.08 EUR
10+ 5.05 EUR
100+ 4.02 EUR
500+ 3.4 EUR
1000+ 2.89 EUR
2000+ 2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSP005346690
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 79017 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.59 EUR
10+ 6.4 EUR
25+ 6.32 EUR
100+ 5.15 EUR
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSTATMA1
Produktcode: 170205		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 14503 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.54 EUR
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BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC017N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC017N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC017N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC018N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC018N04LSGInfineon technologies
auf Bestellung 4500 Stücke:
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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68+2.32 EUR
81+ 1.87 EUR
82+ 1.78 EUR
101+ 1.39 EUR
250+ 1.32 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 0.8 EUR
3000+ 0.77 EUR
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.64 EUR
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 5000
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.59 EUR
10000+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC018N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
auf Bestellung 4810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.94 EUR
82+ 1.85 EUR
101+ 1.44 EUR
250+ 1.37 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.84 EUR
3000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 81
BSC018N04LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
BSC018NE2LSInfineonN-MOSFET 25V 29A 1.8mΩ BSC018NE2LSI, BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS Infineon TBSC018ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30
BSC018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.35 EUR
26+ 2.03 EUR
100+ 1.7 EUR
500+ 1.51 EUR
1000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
auf Bestellung 11357 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.38 EUR
10+ 2.77 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.49 EUR
2000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.33 EUR
10000+ 1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 50619 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.68 EUR
23+ 2.29 EUR
100+ 1.76 EUR
500+ 1.6 EUR
1000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.22 EUR
82+ 1.85 EUR
86+ 1.71 EUR
100+ 1.41 EUR
250+ 1.26 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.95 EUR
6000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 71
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 69W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018NE2LSIATMA1
Produktcode: 109878		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
auf Bestellung 9250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.51 EUR
10+ 2.86 EUR
100+ 2.23 EUR
500+ 1.89 EUR
1000+ 1.54 EUR
2000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 20097 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.02 EUR
13+ 4.16 EUR
100+ 3.3 EUR
250+ 3.04 EUR
500+ 2.76 EUR
1000+ 2.38 EUR
2500+ 2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSC019N02KSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N02KSGInfineonN-MOSFET 20V 100A BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KSG Infineon TBSC019n02ksg
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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10+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04LSInfineon
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BSC019N04LSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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12+4.6 EUR
14+ 3.82 EUR
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250+ 2.81 EUR
500+ 2.56 EUR
1000+ 2.18 EUR
2500+ 2.07 EUR
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BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
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100+1.57 EUR
107+ 1.41 EUR
108+ 1.35 EUR
118+ 1.18 EUR
250+ 1.12 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.88 EUR
3000+ 0.86 EUR
6000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
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BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 7930 Stücke:
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101+1.56 EUR
108+ 1.4 EUR
109+ 1.33 EUR
119+ 1.18 EUR
250+ 1.12 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.89 EUR
3000+ 0.86 EUR
6000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 101
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
auf Bestellung 25843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.55 EUR
10+ 3.79 EUR
100+ 3.01 EUR
500+ 2.55 EUR
1000+ 2.16 EUR
2000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
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Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
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16+3.46 EUR
18+ 2.99 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.23 EUR
1000+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 16
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
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47+3.39 EUR
50+ 3.02 EUR
100+ 2.42 EUR
200+ 2.22 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.55 EUR
2000+ 1.44 EUR
5000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 47
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.98 EUR
10000+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.28 EUR
10+ 4.73 EUR
25+ 4.47 EUR
100+ 3.81 EUR
250+ 3.57 EUR
500+ 3.13 EUR
1000+ 2.59 EUR
2500+ 2.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4213 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.56 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.27 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.48 EUR
2500+ 1.47 EUR
5000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BSC019N04NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.89 EUR
10000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.87 EUR
10000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N04NSGATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP BSC019N04NSGATMA1 TBSC019n04ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N06NSInfineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 12581 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.06 EUR
11+ 5.07 EUR
100+ 4.19 EUR
250+ 3.9 EUR
500+ 3.46 EUR
1000+ 2.94 EUR
2500+ 2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30; Qg, нКл = 77 @ 10 В; Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА; Р, Вт = 136; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8 FL
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+ 9.02 EUR
100+ 7.93 EUR
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
auf Bestellung 14070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.03 EUR
10+ 5.41 EUR
25+ 5.11 EUR
100+ 4.35 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.57 EUR
1000+ 2.96 EUR
2500+ 2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.09 EUR
63+ 2.4 EUR
100+ 2.16 EUR
200+ 2.06 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.59 EUR
2000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 51
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 4057 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.78 EUR
10+ 8.35 EUR
25+ 8.09 EUR
100+ 6.76 EUR
250+ 6.53 EUR
500+ 5.95 EUR
1000+ 4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.78 EUR
10+ 8.21 EUR
100+ 6.64 EUR
500+ 5.9 EUR
1000+ 5.05 EUR
2000+ 4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesSP005560379
Produkt ist nicht verfügbar
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
BSC02000-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, 2POS, red
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC020C0-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, red similar to RAL3017
Produkt ist nicht verfügbar
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
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BSC020N025S GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP
Produkt ist nicht verfügbar
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC020N025SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N025SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC020N03LSINF09+
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N03LS GInfineon
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4768 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.44 EUR
250+ 2.24 EUR
500+ 2.03 EUR
1000+ 1.74 EUR
2500+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BSC020N03LSGINFINEON09+ SOP8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N03LSGINFINEON
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 4248 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N03LSGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
auf Bestellung 18852 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.57 EUR
13+ 2.12 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.77 EUR
10000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4508 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.44 EUR
28+ 1.86 EUR
100+ 1.64 EUR
250+ 1.63 EUR
500+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSC020N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 4955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.77 EUR
10000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.77 EUR
97+ 1.55 EUR
116+ 1.26 EUR
200+ 1.14 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.79 EUR
2000+ 0.73 EUR
5000+ 0.67 EUR
20000+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 89
BSC020N03LSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
BSC020N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
BSC020N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.85 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.71 EUR
2500+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC020N03MSGinfineon08+
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N03MSGInfineon technologies
auf Bestellung 3442 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 10340 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.43 EUR
19+ 2.86 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.55 EUR
2500+ 1.54 EUR
5000+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 16
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.52 EUR
10000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
auf Bestellung 32523 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.87 EUR
10+ 3.15 EUR
100+ 2.45 EUR
500+ 2.08 EUR
1000+ 1.69 EUR
2000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
auf Bestellung 3885 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.31 EUR
10+ 7.83 EUR
100+ 6.33 EUR
500+ 5.63 EUR
1000+ 4.82 EUR
2000+ 4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 154-168 Tag (e)
6+9.49 EUR
10+ 8.01 EUR
25+ 7.9 EUR
100+ 6.47 EUR
250+ 6.45 EUR
500+ 5.75 EUR
1000+ 4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC022N03SInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N03SINF09+
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC022N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N03Sinfineon06+ TDSON
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC022N03S GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 28A TDSON-8
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BSC022N03SGINFINEON07+ DIP16
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N03SGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.61 EUR
18+ 2.96 EUR
100+ 2.3 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.59 EUR
2500+ 1.55 EUR
10000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BSC022N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC022N04LS6Infineon TechnologiesInfineon TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 19501 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.21 EUR
10+ 3.49 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.35 EUR
1000+ 2 EUR
2000+ 1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.83 EUR
10000+ 1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 22663 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.24 EUR
15+ 3.54 EUR
100+ 2.81 EUR
500+ 2.37 EUR
1000+ 1.91 EUR
5000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.01 EUR
56+ 2.69 EUR
100+ 2.21 EUR
200+ 2.04 EUR
500+ 1.79 EUR
1000+ 1.46 EUR
2000+ 1.35 EUR
5000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 52
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LS6ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC022N04LSATMA1
Produktcode: 131683		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 7154 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.56 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.27 EUR
500+ 1.92 EUR
1000+ 1.5 EUR
5000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.99 EUR
84+ 1.8 EUR
100+ 1.48 EUR
200+ 1.35 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.97 EUR
2000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 79
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
auf Bestellung 17230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.61 EUR
10+ 2.94 EUR
100+ 2.29 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.58 EUR
2000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.07 EUR
91+ 1.67 EUR
92+ 1.59 EUR
114+ 1.22 EUR
250+ 1.16 EUR
500+ 0.96 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 76
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.73 EUR
92+ 1.65 EUR
114+ 1.27 EUR
250+ 1.21 EUR
500+ 1 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 91
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.41 EUR
10000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561403
Produkt ist nicht verfügbar
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 4025 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.1 EUR
10+ 7.63 EUR
100+ 6.18 EUR
500+ 5.49 EUR
1000+ 4.7 EUR
2000+ 4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+9.15 EUR
10+ 7.7 EUR
25+ 7.28 EUR
100+ 6.24 EUR
250+ 5.88 EUR
500+ 5.54 EUR
1000+ 4.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
BSC024N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSON
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BSC024N025SG
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BSC024NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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20+2.68 EUR
24+ 2.2 EUR
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
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10+2.63 EUR
13+ 2.16 EUR
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2000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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BSC024NE2LSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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98+1.6 EUR
108+ 1.4 EUR
132+ 1.1 EUR
200+ 0.99 EUR
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5000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 98
BSC024NE2LSATMA1
Produktcode: 116188		Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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125+1.25 EUR
137+ 1.1 EUR
138+ 1.06 EUR
164+ 0.85 EUR
250+ 0.8 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.51 EUR
3000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 125
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.04 EUR
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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137+1.14 EUR
138+ 1.1 EUR
164+ 0.89 EUR
250+ 0.84 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.53 EUR
3000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 137
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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26+2.01 EUR
31+ 1.71 EUR
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500+ 1.24 EUR
1000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC024NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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BSC025N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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16+3.33 EUR
19+ 2.76 EUR
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500+ 1.81 EUR
1000+ 1.47 EUR
2500+ 1.39 EUR
5000+ 1.32 EUR
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BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
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BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
auf Bestellung 2183 Stücke:
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BSC025N03LSGInfineon technologies
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
auf Bestellung 38848 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.33 EUR
10+ 2.72 EUR
100+ 2.12 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.46 EUR
2000+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC025N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC025N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.31 EUR
10000+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 237-251 Tag (e)
16+3.33 EUR
19+ 2.76 EUR
100+ 2.13 EUR
500+ 1.81 EUR
1000+ 1.42 EUR
2500+ 1.39 EUR
5000+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
BSC025N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 3454 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.2 EUR
20+ 2.6 EUR
100+ 2.05 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.41 EUR
2500+ 1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17
BSC025N03MSGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC025N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 3989 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 27
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3736 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+8.53 EUR
10+ 7.38 EUR
25+ 6.81 EUR
100+ 6.03 EUR
250+ 5.56 EUR
500+ 5.12 EUR
1000+ 4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
auf Bestellung 8205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+8.74 EUR
10+ 7.8 EUR
25+ 7.02 EUR
100+ 6.39 EUR
250+ 5.77 EUR
500+ 5.18 EUR
1000+ 4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC026N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 4897 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.13 EUR
16+ 3.43 EUR
100+ 2.73 EUR
250+ 2.04 EUR
5000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC026N02KS GInfineon
auf Bestellung 95000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC026N02KSGinfineon08+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC026N02KSGInfineon TechnologiesDescription: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
auf Bestellung 27190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
363+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 363
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.84 EUR
190+ 0.79 EUR
193+ 0.75 EUR
196+ 0.71 EUR
250+ 0.67 EUR
500+ 0.63 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 187
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.6mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.84 EUR
10+ 4.34 EUR
100+ 3.49 EUR
500+ 2.87 EUR
1000+ 2.38 EUR
2000+ 2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC026N04LSInfineon technologies
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC026N04LSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4016 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.87 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.1 EUR
1000+ 1.71 EUR
2500+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
auf Bestellung 7083 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.87 EUR
10+ 3.16 EUR
100+ 2.46 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.7 EUR
2000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.9 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.51 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.64 EUR
2500+ 1.63 EUR
5000+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 14
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.29 EUR
123+ 1.23 EUR
136+ 1.07 EUR
250+ 1.02 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 122
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.4 EUR
122+ 1.24 EUR
123+ 1.18 EUR
136+ 1.03 EUR
250+ 0.98 EUR
500+ 0.87 EUR
1000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 112
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.24 EUR
32+ 4.84 EUR
50+ 4.48 EUR
100+ 4.16 EUR
250+ 3.87 EUR
500+ 3.61 EUR
1000+ 3.37 EUR
2500+ 3.3 EUR
5000+ 3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
BSC026N08NS5Infineon
auf Bestellung 14128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+3.77 EUR
50+ 3.05 EUR
100+ 2.77 EUR
200+ 2.65 EUR
500+ 2.31 EUR
1000+ 2.09 EUR
2000+ 1.95 EUR
5000+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 42
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.65 EUR
41+ 3.76 EUR
42+ 3.47 EUR
100+ 2.93 EUR
250+ 2.68 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC026N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.65 EUR
41+ 3.76 EUR
42+ 3.47 EUR
100+ 2.93 EUR
250+ 2.68 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 34
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 9312 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.54 EUR
10+ 6.33 EUR
100+ 5.12 EUR
500+ 4.55 EUR
1000+ 3.9 EUR
2000+ 3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.52 EUR
50+ 4.19 EUR
100+ 3.9 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.4 EUR
1000+ 3.18 EUR
2500+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 35
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
auf Bestellung 36980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.59 EUR
10+ 6.08 EUR
25+ 5.82 EUR
100+ 5.15 EUR
250+ 5.12 EUR
500+ 4.6 EUR
1000+ 3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.87 EUR
99+ 1.53 EUR
100+ 1.46 EUR
125+ 1.12 EUR
250+ 1.08 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.67 EUR
3000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 84
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LV POWER MOS
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.06 EUR
15+ 3.61 EUR
100+ 2.83 EUR
500+ 2.34 EUR
1000+ 1.84 EUR
2500+ 1.83 EUR
5000+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 29W
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain current: 66A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.43 EUR
10+ 2.81 EUR
100+ 2.18 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.51 EUR
2000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 29W
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain current: 66A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC027N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N03SG
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC027N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 5078 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
18+ 2.99 EUR
100+ 2.33 EUR
500+ 1.98 EUR
1000+ 1.61 EUR
2500+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BSC027N04LSGInfineonTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP BSC027N04LSG TBSC027n04lsg
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSC027N04LSG(XT)
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.35 EUR
67+ 2.18 EUR
100+ 1.69 EUR
250+ 1.59 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.01 EUR
3000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 64
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 46
BSC027N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 57117 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.64 EUR
10+ 2.98 EUR
100+ 2.32 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.6 EUR
2000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.75 EUR
64+ 2.27 EUR
67+ 2.1 EUR
100+ 1.62 EUR
250+ 1.52 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.01 EUR
3000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 57
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9342 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 2.96 EUR
100+ 2.31 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.51 EUR
2500+ 1.49 EUR
5000+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.44 EUR
10000+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC027N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 27433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.95 EUR
11+ 4.94 EUR
100+ 3.95 EUR
250+ 3.93 EUR
500+ 3.3 EUR
1000+ 2.68 EUR
5000+ 2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 123
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
auf Bestellung 15804 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.9 EUR
10+ 4.91 EUR
100+ 3.91 EUR
500+ 3.31 EUR
1000+ 2.81 EUR
2000+ 2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC027N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain current: 84A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain current: 84A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC027N10NS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 26200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
5+11.44 EUR
10+ 9.59 EUR
25+ 9.07 EUR
100+ 7.77 EUR
250+ 7.33 EUR
500+ 6.89 EUR
1000+ 5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
auf Bestellung 7377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.36 EUR
10+ 9.54 EUR
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1000+ 5.87 EUR
2000+ 5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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37+4.32 EUR
50+ 4.01 EUR
100+ 3.73 EUR
250+ 3.48 EUR
500+ 3.25 EUR
1000+ 3.04 EUR
2500+ 2.84 EUR
5000+ 2.78 EUR
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BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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8+7.05 EUR
10+ 5.9 EUR
25+ 5.59 EUR
100+ 4.78 EUR
250+ 4.52 EUR
500+ 4.26 EUR
1000+ 3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC028N06LS3GINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8
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BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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36+4.46 EUR
42+ 3.59 EUR
45+ 3.28 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 1.5 EUR
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BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 28256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC028N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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8+7.05 EUR
10+ 5.9 EUR
25+ 5.64 EUR
100+ 4.78 EUR
250+ 4.68 EUR
500+ 3.77 EUR
1000+ 3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.2 EUR
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BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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45+3.53 EUR
53+ 2.86 EUR
100+ 2.61 EUR
200+ 2.49 EUR
500+ 2.18 EUR
1000+ 1.96 EUR
2000+ 1.83 EUR
5000+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 45
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 28256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.92 EUR
10+ 5.8 EUR
100+ 4.69 EUR
500+ 4.17 EUR
1000+ 3.57 EUR
2000+ 3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.46 EUR
42+ 3.59 EUR
45+ 3.28 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 36
BSC028N06NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 12793 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.4 EUR
10+ 5.33 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 3.9 EUR
500+ 3.56 EUR
1000+ 3.09 EUR
5000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC028N06NSInfineon technologies
auf Bestellung 4524 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC028N06NSInfineon
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
auf Bestellung 4647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+ 2.2 EUR
40+ 1.82 EUR
42+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 29
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
auf Bestellung 26568 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.4 EUR
10+ 5.29 EUR
100+ 4.21 EUR
500+ 3.57 EUR
1000+ 3.03 EUR
2000+ 2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.42 EUR
10+ 5.54 EUR
100+ 4.45 EUR
250+ 4.34 EUR
500+ 3.72 EUR
1000+ 2.94 EUR
5000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4647 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
33+ 2.2 EUR
40+ 1.82 EUR
42+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 29
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 4069 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.14 EUR
10+ 5.1 EUR
100+ 4.06 EUR
500+ 3.43 EUR
1000+ 2.91 EUR
2000+ 2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.01 EUR
11+ 5.02 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.67 EUR
500+ 3.33 EUR
1000+ 2.86 EUR
2500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSQUARE FLANGE RECETACLE
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 10936 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.21 EUR
10+ 5.16 EUR
100+ 4.11 EUR
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1000+ 2.95 EUR
2000+ 2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.27 EUR
10+ 5.2 EUR
100+ 4.16 EUR
250+ 3.98 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 2.91 EUR
5000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC029N025SGinfineon08+
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC029N025SGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
auf Bestellung 8868 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
402+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 402
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
auf Bestellung 10035 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.51 EUR
10+ 4.58 EUR
100+ 3.64 EUR
500+ 3.08 EUR
1000+ 2.62 EUR
2000+ 2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 3908 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.36 EUR
12+ 4.5 EUR
100+ 3.64 EUR
250+ 3.54 EUR
500+ 3.09 EUR
1000+ 2.7 EUR
2500+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesBSC0302LSATMA1
auf Bestellung 5027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.69 EUR
96+ 1.57 EUR
97+ 1.5 EUR
98+ 1.43 EUR
107+ 1.26 EUR
250+ 1.2 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 1.1 EUR
3000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 93
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.39 EUR
10000+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
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BSC030N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.76 EUR
24+ 2.25 EUR
100+ 1.75 EUR
500+ 1.48 EUR
1000+ 1.21 EUR
2500+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSC030N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03LSGINFINEON1035+ TDSON-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC030N03LSGinfineon08+
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC030N03LSGInfineon technologies
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC030N03LSGINF09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4571 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.01 EUR
31+ 1.71 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 18328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.7 EUR
12+ 2.21 EUR
100+ 1.72 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.19 EUR
2000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.06 EUR
10000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC030N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03LSЎЎG
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC030N03MS GInfineonQFN
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC030N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 9691 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.44 EUR
26+ 2.02 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.09 EUR
2500+ 1.02 EUR
5000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSC030N03MSG
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC030N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 10950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.44 EUR
13+ 2.01 EUR
100+ 1.57 EUR
500+ 1.33 EUR
1000+ 1.08 EUR
2000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 8621 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.88 EUR
33+ 1.61 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 15361 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+2.56 EUR
25+ 2.12 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.15 EUR
2500+ 1.11 EUR
5000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 21
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.82 EUR
101+ 1.49 EUR
118+ 1.23 EUR
200+ 1.12 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.91 EUR
2000+ 0.82 EUR
5000+ 0.76 EUR
10000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 86
BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
auf Bestellung 44708 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.76 EUR
12+ 2.25 EUR
100+ 1.75 EUR
500+ 1.49 EUR
1000+ 1.21 EUR
2000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.31 EUR
69+ 2.2 EUR
70+ 2.1 EUR
100+ 2 EUR
250+ 1.9 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.71 EUR
3000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 68
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.09 EUR
10000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.28 EUR
70+ 2.18 EUR
100+ 2.08 EUR
250+ 1.98 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.78 EUR
3000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 69
BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 6475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030N04NSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC030N08NS5Infineon technologies
auf Bestellung 4922 Stücke:
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.43 EUR
12+ 4.71 EUR
100+ 3.85 EUR
250+ 3.77 EUR
500+ 3.15 EUR
1000+ 2.49 EUR
2500+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
auf Bestellung 20223 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.38 EUR
10+ 4.46 EUR
100+ 3.55 EUR
500+ 3.01 EUR
1000+ 2.55 EUR
2000+ 2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.33 EUR
10000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561083
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BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 154-168 Tag (e)
6+9.59 EUR
10+ 8.06 EUR
25+ 7.62 EUR
100+ 6.53 EUR
250+ 6.16 EUR
500+ 5.8 EUR
1000+ 4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC030P03NS3 GInfineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC030P03NS3 G
Produktcode: 142919		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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BSC030P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 12236 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.53 EUR
10+ 5.41 EUR
100+ 4.32 EUR
250+ 3.98 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 3.15 EUR
5000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.84 EUR
92+ 1.64 EUR
100+ 1.46 EUR
250+ 1.38 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 86
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+ 3.09 EUR
26+ 2.76 EUR
46+ 1.59 EUR
48+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.84 EUR
92+ 1.64 EUR
100+ 1.46 EUR
250+ 1.39 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 85
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.45 EUR
71+ 2.12 EUR
72+ 2.02 EUR
100+ 1.76 EUR
250+ 1.67 EUR
500+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 64
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, BRT, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.45 EUR
71+ 2.12 EUR
72+ 2.02 EUR
100+ 1.76 EUR
250+ 1.67 EUR
500+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 64
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+ 3.09 EUR
26+ 2.76 EUR
46+ 1.59 EUR
48+ 1.5 EUR
5000+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 22
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 17661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.34 EUR
75+ 2.02 EUR
100+ 1.87 EUR
200+ 1.78 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.47 EUR
2000+ 1.39 EUR
5000+ 1.35 EUR
10000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 67
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
auf Bestellung 6944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.47 EUR
10+ 5.37 EUR
100+ 4.28 EUR
500+ 3.62 EUR
1000+ 3.07 EUR
2000+ 2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
auf Bestellung 6655 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.11 EUR
11+ 4.81 EUR
100+ 4 EUR
500+ 3.35 EUR
1000+ 2.94 EUR
5000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC031N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 6596 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.64 EUR
12+ 4.65 EUR
100+ 3.72 EUR
250+ 3.56 EUR
500+ 3.12 EUR
1000+ 2.54 EUR
5000+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5201 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.59 EUR
10+ 4.64 EUR
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BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC031N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC031N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Produkt ist nicht verfügbar
BSC032N03SinfineonTDSON-8
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC032N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
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BSC032N03SINF09+
auf Bestellung 18503 Stücke:
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BSC032N03S GINF09+
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BSC032N03S GInfineon09+
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BSC032N03SGINFINEON06+ P-TDSON-
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
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BSC032N03SGinfineon09+
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BSC032N03SGINF09+
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BSC032N03SGinfineon06+
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BSC032N03SGINFINEON07+ DIP16
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
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BSC032N03SGINFINEON
auf Bestellung 1226 Stücke:
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BSC032N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC032N04LSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 11557 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+3.02 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.64 EUR
1000+ 1.34 EUR
2500+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18
BSC032N04LS
Produktcode: 196253		Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 14294 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.02 EUR
11+ 2.48 EUR
100+ 1.93 EUR
500+ 1.63 EUR
1000+ 1.33 EUR
2000+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 9
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.19 EUR
10000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
55+ 1.3 EUR
73+ 0.99 EUR
77+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 13179 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.35 EUR
27+ 1.94 EUR
100+ 1.76 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.29 EUR
5000+ 1.23 EUR
10000+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
55+ 1.3 EUR
73+ 0.99 EUR
77+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.77 EUR
104+ 1.45 EUR
122+ 1.2 EUR
200+ 1.09 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.88 EUR
5000+ 0.74 EUR
10000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 89
BSC032NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 5024 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.3 EUR
28+ 1.87 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.01 EUR
2500+ 0.95 EUR
5000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 23
BSC032NE2LSInfineon technologies
auf Bestellung 4957 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC032NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC032NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
auf Bestellung 23502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.29 EUR
14+ 1.86 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1 EUR
2000+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.36 EUR
125+ 1.21 EUR
148+ 0.98 EUR
250+ 0.89 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.52 EUR
3000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 116
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.5 EUR
116+ 1.31 EUR
125+ 1.17 EUR
148+ 0.94 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.7 EUR
1000+ 0.49 EUR
3000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 104
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.9 EUR
10000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 4938 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
31+1.69 EUR
37+ 1.44 EUR
100+ 1.21 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 31
BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
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BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
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4+7.05 EUR
10+ 5.92 EUR
100+ 4.79 EUR
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BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP001691008
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BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
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7+7.83 EUR
10+ 7.02 EUR
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4000+ 3.54 EUR
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BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
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BSC034N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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22+2.44 EUR
26+ 2 EUR
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5000+ 0.95 EUR
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BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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250+ 0.59 EUR
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BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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192+0.81 EUR
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BSC034N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC034N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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24+2.23 EUR
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BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
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Mindestbestellmenge: 5000
BSC034N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
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Mindestbestellmenge: 76
BSC034N06NSInfineon
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BSC034N06NSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
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15+ 3.67 EUR
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250+ 2.68 EUR
500+ 2.44 EUR
1000+ 2.1 EUR
2500+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 5000
BSC034N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
auf Bestellung 11909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
auf Bestellung 11723 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.39 EUR
10+ 3.65 EUR
100+ 2.91 EUR
500+ 2.46 EUR
1000+ 2.09 EUR
2000+ 1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC034N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.58 EUR
107+ 1.41 EUR
108+ 1.34 EUR
121+ 1.16 EUR
250+ 1.1 EUR
500+ 0.97 EUR
1000+ 0.86 EUR
3000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 99
BSC034N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
auf Bestellung 11909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 3698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.58 EUR
107+ 1.41 EUR
108+ 1.34 EUR
121+ 1.16 EUR
250+ 1.1 EUR
500+ 0.97 EUR
1000+ 0.86 EUR
3000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 99
BSC034N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
auf Bestellung 23703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.54 EUR
105+ 1.44 EUR
129+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 102
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 17525 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.46 EUR
18+ 2.96 EUR
100+ 2.49 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.17 EUR
1000+ 1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 16
BSC034N10LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
auf Bestellung 12056 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
6+8.94 EUR
10+ 7.77 EUR
25+ 7.15 EUR
100+ 6.34 EUR
250+ 5.85 EUR
500+ 5.36 EUR
1000+ 4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC034N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 28511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
auf Bestellung 26893 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+9.02 EUR
10+ 8.06 EUR
25+ 7.26 EUR
100+ 6.61 EUR
250+ 5.97 EUR
500+ 5.35 EUR
1000+ 4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC034N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 28511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC035N04LS GINFINEON08+ SOP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC035N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.83 EUR
23+ 2.32 EUR
100+ 1.81 EUR
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BSC035N04LSGInfineon technologies
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BSC035N04LSGinfineon08+
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BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 5000
BSC035N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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19+2.83 EUR
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5000+ 1.12 EUR
10000+ 1.11 EUR
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BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 91
BSC035N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
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10+2.81 EUR
12+ 2.31 EUR
100+ 1.8 EUR
500+ 1.52 EUR
1000+ 1.24 EUR
2000+ 1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC035N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC035N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 41925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
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168+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 168
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.11 EUR
10000+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC035N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.32 EUR
25000+ 2.05 EUR
50000+ 1.83 EUR
75000+ 1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC035N10NS5Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BSC035N10NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.66 EUR
31+ 4.77 EUR
100+ 4.01 EUR
250+ 3.81 EUR
500+ 3.3 EUR
1000+ 3.13 EUR
3000+ 3.1 EUR
6000+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 28
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
BSC035N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC035N10NS5ATMA1
Produktcode: 192220		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
BSC035N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 100VPower transistor OptiMOS 5
auf Bestellung 44396 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+7.77 EUR
10+ 6.63 EUR
25+ 6.45 EUR
100+ 5.41 EUR
250+ 5.38 EUR
500+ 4.84 EUR
1000+ 3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar