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BSC098N10NS5ATMA1

BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 5824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
106+2.02 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.44 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC098N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
auf Bestellung 23555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.51 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.11 EUR
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 18237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.67 EUR
50+2.02 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 5824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
70+3.34 EUR
106+2.02 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.44 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC097N06NS_Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9,8 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 20 Stücke:
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BSC098N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 7351 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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BSC098N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 5824 Stücke:
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106+2.02 EUR
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BSC098N10NS5ATMA1 Infineon_BSC098N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
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MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
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1+4 EUR
10+2.51 EUR
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BSC098N10NS5ATMA1 Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd
BSC098N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 18237 Stücke:
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6+4.16 EUR
10+2.67 EUR
50+2.02 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
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BSC098N10NS5ATMA1 INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC098N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 5824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.72 EUR
70+3.34 EUR
106+2.02 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.44 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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BSC098N10NS5ATMA1 infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf
BSC098N10NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC098N10NS5ATMA1 infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf
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Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC097N06NS_Infineon.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9,8 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 20 Stücke:
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