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BSC098N10NS5ATMA1

BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:

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Technische Details BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
156+0.95 EUR
162+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 156
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
126+1.18 EUR
156+0.92 EUR
162+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 126
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+1.24 EUR
127+1.13 EUR
165+0.84 EUR
200+0.77 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
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107+1.39 EUR
112+1.28 EUR
250+1.19 EUR
500+1.10 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.95 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 6404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.16 EUR
12+1.49 EUR
100+1.16 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC098N10NS5_DataSheet_v02_02_EN-3360728.pdf MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
auf Bestellung 6923 Stücke:
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2+2.68 EUR
10+1.78 EUR
100+1.22 EUR
500+1.03 EUR
1000+1.00 EUR
25000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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