Technische Details BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSC105N15LS5ATMA1 nach Preis ab 1.86 EUR bis 8.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
auf Bestellung 3097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V |
auf Bestellung 2055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 2.3 EUR |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.15 EUR |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 3097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.59 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |
| 500+ | 2.07 EUR |
| 1000+ | 1.98 EUR |
| 2500+ | 1.86 EUR |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Description: TRENCH >=100V
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.83 EUR |
| 10+ | 5.15 EUR |
| 50+ | 4 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.18 EUR |
| 48+ | 4.91 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)