BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC105N15LS5ATMA1 nach Preis ab 1.51 EUR bis 3.43 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V |
auf Bestellung 6611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSC105N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
BSC105N15LS5ATMA1 |
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