BSC118N10NS G Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.76 EUR |
| 10+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| 2500+ | 1.52 EUR |
| 5000+ | 1.46 EUR |
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Technische Details BSC118N10NS G Infineon Technologies
Description: BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC118N10NSG | Infineon technologies |
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| BSC118N10NSG |
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Hersteller: Infineon technologies
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