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BSC119N03MSCGATMA1 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET
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Technische Details BSC119N03MSCGATMA1 Infineon Technologies

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, euEccn: TBC, hazardous: false, productTraceability: No, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC119N03MSCGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSC119N03MSCGATMA1
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
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usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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