Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC160N15NS5ATMA1
BSC160N15NS5ATMA1

BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC160N15NS5ATMA1 nach Preis ab 1.02 EUR bis 10.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+3.14 EUR
69+2.02 EUR
70+1.91 EUR
100+1.77 EUR
250+1.68 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+3.14 EUR
69+2.02 EUR
70+1.91 EUR
100+1.77 EUR
250+1.68 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC160N15NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 15359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5 EUR
10+3.27 EUR
100+2.27 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.85 EUR
2500+1.83 EUR
5000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 11099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.35 EUR
10+3.47 EUR
100+2.41 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
93+10.76 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 56A; Idm: 1E-09A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1E-09A
Gate charge: 23.1nC
Reverse recovery time: 31ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 96W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1
Produktcode: 198064
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH