BSC160N15NS5ATMA1
Produktcode: 198064
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 24847 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
auf Bestellung 12463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
auf Bestellung 8078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 14190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 56A; Idm: 1E-09A; 96W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Pulsed drain current: 1E-09A Gate charge: 23.1nC Reverse recovery time: 31ns On-state resistance: 16mΩ Drain current: 56A Gate-source voltage: 20V Power dissipation: 96W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Case: PG-TDSON-8 |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R |
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