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BSC160N15NS5ATMA1

Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
Produktcode: 198064
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.21 EUR
69+1.97 EUR
100+1.81 EUR
250+1.72 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.21 EUR
69+2.05 EUR
100+1.91 EUR
250+1.86 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.47 EUR
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC160N15NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 12463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.91 EUR
10+3.19 EUR
100+2.36 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.85 EUR
2500+1.74 EUR
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 8078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.32 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON 2371091.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 56A; Idm: 1E-09A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1E-09A
Gate charge: 23.1nC
Reverse recovery time: 31ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 96W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
95+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
46+3.21 EUR
69+1.97 EUR
100+1.81 EUR
250+1.72 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
46+3.21 EUR
69+2.05 EUR
100+1.91 EUR
250+1.86 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.47 EUR
3000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 12463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.91 EUR
10+3.19 EUR
100+2.36 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.85 EUR
2500+1.74 EUR
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BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 8078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+5.14 EUR
10+3.34 EUR
100+2.32 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC160N15NS5ATMA1 infineonbsc160n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
93+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 2371091.pdf
BSC160N15NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 56A; Idm: 1E-09A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1E-09A
Gate charge: 23.1nC
Reverse recovery time: 31ns
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 56A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 96W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH