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BSC160N15NS5SCATMA1

BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc160n15ns5scdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
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124+1.4 EUR
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Technische Details BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC160N15NS5SCATMA1 BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
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BSC160N15NS5SCATMA1 BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies infineonbsc160n15ns5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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BSC160N15NS5SCATMA1 BSC160N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098627.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.64 EUR
500+3.13 EUR
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BSC160N15NS5SCATMA1 BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC160N15NS5SC_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.64 EUR
100+2.89 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.37 EUR
4000+2.31 EUR
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BSC160N15NS5SCATMA1 BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC160N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5c20df631fd Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
10+4.65 EUR
100+3.26 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSC160N15NS5SCATMA1 BSC160N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098627.pdf Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2662 Stücke:
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28+9.22 EUR
42+5.62 EUR
100+3.64 EUR
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1000+3.11 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
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124+1.36 EUR
126+1.29 EUR
128+1.21 EUR
130+1.15 EUR
132+1.08 EUR
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auf Bestellung 40000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
10000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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BSC160N15NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 56A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs TRENCH >=100V
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10+3.64 EUR
100+2.89 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.37 EUR
4000+2.31 EUR
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BSC160N15NS5SCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
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10+4.65 EUR
100+3.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSC160N15NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.22 EUR
42+5.62 EUR
100+3.64 EUR
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