BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 124+ | 1.18 EUR |
| 126+ | 1.15 EUR |
| 128+ | 1.1 EUR |
| 130+ | 1.06 EUR |
| 132+ | 1.03 EUR |
| 250+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 3000+ | 0.93 EUR |
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Technische Details BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSC160N15NS5SCATMA1 nach Preis ab 0.83 EUR bis 5.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSC160N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R |
auf Bestellung 3381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC160N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 2547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC160N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC160N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BSC160N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC160N15NS5SCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 75+ | 1.97 EUR |
| 124+ | 1.14 EUR |
| 126+ | 1.08 EUR |
| 128+ | 1.02 EUR |
| 130+ | 0.97 EUR |
| 132+ | 0.91 EUR |
| 250+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| BSC160N15NS5SCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 242+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 1.96 EUR |
| 10000+ | 1.79 EUR |
| BSC160N15NS5SCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.1 EUR |
| 10+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.43 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |
| 1000+ | 2.2 EUR |
| 2000+ | 1.99 EUR |
| 4000+ | 1.94 EUR |
| BSC160N15NS5SCATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 56A PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 5.98 EUR |
| 10+ | 3.91 EUR |
| 100+ | 2.74 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| BSC160N15NS5SCATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC160N15NS5SCATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC160N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56 A, 0.016 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)