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BSC205N10LSGATMA1

BSC205N10LSGATMA1 Infineon Technologies

bsc205n10lsrev2.05.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC205N10LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC205N10LSGATMA1 - BSC205N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, euEccn: TBC, hazardous: false, productTraceability: No, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC205N10LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC205N10LSGATMA1 - BSC205N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
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productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 513 Stücke
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BSC205N10LSGATMA1
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC205N10LSGATMA1 - BSC205N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
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productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3500 Stücke:
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