Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC22DN20NS3GATMA1
BSC22DN20NS3GATMA1

BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC22DN20NS3GATMA1 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC22DN20NS3_DS_v02_02_en-3360790.pdf MOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.39 EUR
100+1.06 EUR
250+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1 INFINEON BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
143+1.63 EUR
250+1.13 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1 INFINEON BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
143+1.63 EUR
250+1.13 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
13+1.65 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon_BSC22DN20NS3_DS_v02_02_en-3360790.pdf
BSC22DN20NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.9 EUR
10+1.39 EUR
100+1.06 EUR
250+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
BSC22DN20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.4 EUR
143+1.63 EUR
250+1.13 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
BSC22DN20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.225 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.4 EUR
143+1.63 EUR
250+1.13 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
BSC22DN20NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.56 EUR
13+1.65 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH